福冈逆变器



罗姆半导体加速推进2050环境愿景：以技术创新重塑行业可持续未来

罗姆半导体通过技术创新与全链条碳管理加速推进2050环境愿景，旨在重塑行业可持续未来，其核心策略包括第三代半导体技术突破、全价值链减碳实验及生态化市场布局。

一、以第三代半导体技术为核心驱动“净零排放”

罗姆将实现“净零排放”的关键押注在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术上，通过技术迭代与全产业链布局构建竞争优势。

SiC技术持续突破，性能与成本双优化罗姆的SiC MOSFET已迭代至第四代，导通电阻较第三代降低40%，开关损耗减少50%；2025年第五代产品性能将再提升30%，第六代、第七代研发计划已提前启动。更关键的是，罗姆推进8英寸SiC晶圆量产，芯片产出效率较6英寸提升近一倍，有望彻底改变行业成本结构。证券分析师余锋指出，SiC器件的低损耗特性可将设备能耗降低20%-30%，对电动汽车、数据中心等高耗能领域至关重要。图：罗姆SiC技术迭代路径与晶圆升级对成本结构的影响

GaN技术协同发展，拓展应用场景罗姆通过GaN器件降低客户设备能耗，2023年已减少332吨二氧化碳排放。其EcoGaN? Power Stage IC通过99%的体积缩减，正在改写服务器电源的设计逻辑，凸显GaN在高频、高效场景中的潜力。

全产业链布局强化技术壁垒罗姆从衬底到模块实现全产业链覆盖，确保技术领先的同时构筑供应链安全壁垒。例如，EcoSiC?系列瞄准新能源汽车逆变器市场，新型TRCDRIVE pack?模块功率密度达行业1.5倍，可助力车企缩减逆变器体积并提升续航。

二、全价值链减碳实验：从生产到应用的系统性变革

罗姆的减碳战略贯穿研发、生产、运营与供应链，通过创新机制与绿电转型构建闭环体系。

绿电使用率目标与工厂实践罗姆加入全球可再生能源倡议RE100，计划2030年实现65%绿电使用率，2050年达100%。目前，其德国SiCrystal工厂、日本福冈和筑后工厂的SiC产线已100%使用可再生能源，为行业提供绿电转型标杆。

内部碳定价（ICP）机制倒逼低碳决策2024年引入ICP机制，将碳排放成本纳入投资决策，迫使各部门优先选择低碳方案。例如，采用更节能的设备或优化工艺流程，从内部管理层面推动减碳落地。

产品生命周期评估量化减碳贡献罗姆通过技术标准与合作开发，主导应用生态。例如，其GaN器件在客户端的应用已实现可量化的碳排放减少，为行业解决“如何量化产品减碳贡献”的难题提供思路。

三、生态化市场布局：从技术优势到行业标准

罗姆通过品牌矩阵与系统级解决方案，将技术优势转化为市场影响力，并试图定义行业规则。

“Power Eco Family”品牌矩阵覆盖核心产品线涵盖SiC、GaN、超级结MOSFET和IGBT四大产品线，针对不同场景提供差异化解决方案。例如：

EcoSiC?系列：聚焦新能源汽车逆变器，通过高功率密度模块提升续航；

EcoGaN?系列：针对服务器电源，以超小体积实现高效能。

系统级解决方案降低客户设计门槛车载电子工程师王越评价，罗姆的“模块+驱动IC”组合方案（如TRCDRIVE pack?）降低了客户设计复杂度，这种生态化打法可能成为行业新趋势。功率半导体竞争已从单一性能转向系统级优化，罗姆通过技术整合抢占先机。

主导碳评估体系争夺行业标准话语权国际环保组织专家指出，未来竞争不仅是技术之争，更是规则之争。罗姆通过提前布局碳足迹量化方法，试图在半导体碳评估标准尚未统一的背景下，掌握定义行业规则的主动权。

四、挑战与行业启示：可持续性成为核心竞争力

尽管罗姆势头强劲，但仍面临欧美巨头产能扩张（如英飞凌、安森美）和中国厂商8英寸晶圆产线布局（如三安光电、比亚迪半导体）的竞争压力。其2050愿景为行业提供三重启示：

技术锚定社会需求：将减碳目标与产品性能提升绑定，例如SiC器件同时满足“节能”与“小型化”，使环保投入转化为客户价值。全链条碳管理：从绿电采购、生产能效提升到产品生命周期评估，构建覆盖“研发-生产-应用”的减碳闭环。生态化战略主导行业秩序：通过技术标准、合作开发与稳定供应，主导应用生态而非仅依赖单品优势。

据罗姆预测，其SiC业务销售额将在2026-2027财年突破1100亿日元（约55.38亿元人民币），背后是全球对高效能半导体需求的爆发。彭博新能源财经数据显示，2030年全球SiC市场规模将达400亿美元，其中新能源汽车占比超60%。罗姆的探索表明，在零碳时代，技术创新与可持续战略的交叉点将成为企业主导行业格局的关键。

博世量产车用碳化硅功率芯片，日本厂商不甘落后，东芝传扩产10 倍产能

德国博世已开始量产车用碳化硅功率芯片，日本厂商东芝、罗姆等加速扩产以争夺市场份额，其中东芝计划到2025年将碳化硅功率半导体产量扩增至2020年度的10倍。

博世在车用碳化硅功率芯片领域的布局量产启动与订单情况：德国汽车零件供应商博世于12月2日宣布开始量产车用碳化硅（SiC）功率半导体，且今年初就已开始生产供客户认证的SiC芯片。博世管理委员会成员Harald Kroeger称碳化硅半导体前景光明，因电动移动蓬勃发展，博世拥有大量订单，希望成为电动车（EV）碳化硅芯片全球主要生产商。产能扩张计划：为满足不断扩增的需求，博世已开始扩大罗伊特林根（Reutlingen）晶圆厂无尘室空间，今年增加了1000平方米，2023年底前预估将再增加3000平方米。技术升级规划：博世是目前唯一一家自行生产碳化硅芯片的汽车零件供应商，现阶段采用6吋晶圆，未来计划升级至8寸晶圆，并且已着手开发效率更高的第二代SiC芯片，预估2022年将可开始量产。政策支持：作为「欧洲共同利益重要计划（IPCEI）」微电子计划的一部分，博世开发SiC芯片创新制程，获得了德国联邦经济事务和能源部（BMWi）的支持。碳化硅功率半导体市场前景

根据法国市场研究机构Yole Developpement发布的报告，从现在到2025年期间，整体SiC市场每年平均增幅预估达30%，产值将突破25亿美元，汽车将是主要的终端市场，产值大约15亿美元。

日本厂商在车用碳化硅功率芯片领域的行动东芝

增产计划：因看好来自电动车（EV）的需求将扩大，东芝半导体事业子公司「东芝电子元件及储存装置（Toshiba Electronic Devices & Storage）」计划在2023年度将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍，之后计划在2025年度进一步扩增至10倍，目标最迟在2030年度取得全球一成以上市占率。

产品优势：SiC功率半导体使用于EV逆变器上，功率损耗可缩减5 - 8%，能提升续航距离，目前特斯拉（Tesla）和中国车厂已开始在部分车款上使用SiC功率半导体。

罗姆

投资与产能提升：罗姆将投资500亿日元，目标在2025年之前将SiC功率半导体产能提高至现行的5倍以上。罗姆位于福冈县筑后市的工厂内已盖好SiC新厂房，目标2022年启用。

市场合作与目标：中国吉利汽车的EV已决定采用罗姆的SiC功率半导体产品，罗姆目标在早期内将全球市占率自现行的近两成提高至三成。

富士电机：考虑将SiC功率半导体开始生产的时间自原先计划（2025年）提前半年到1年。

SiC，关键一役

2025年将成为SiC（碳化硅）产业发展的关键转折点，行业面临业绩下滑、技术升级与市场竞争加剧的多重挑战，但长期增长趋势依然明确。

一、当前行业困境：业绩下滑与经营压力

全球市场疲软：2024年全球汽车市场增长放缓，工业市场需求低迷，导致SiC行业整体承压。意法半导体（ST）、英飞凌、安森美、Wolfspeed、罗姆等头部企业均受冲击。

ST：2024年营收同比下降23.2%，净利润缩水63%，裁员3000人并关厂重组。

罗姆：首次出现业绩亏损，营业亏损110.8亿日元，更换CEO以应对困境。

Wolfspeed：因扩张8英寸工厂导致债务沉重，股价暴跌96%，关闭两座6英寸工厂并裁员20%。

英飞凌：推迟马来西亚工厂二期建设，削减10%投资，2024财年收入同比下降8%。

安森美：受电动汽车客户库存积压影响，2024年收入下降14.2%，毛利率下滑1.7个百分点。

成本压力加剧：向8英寸晶圆转型需巨额投资，而市场需求未达预期，导致产能利用率不足、重组费用高企。例如，Wolfspeed在2025财年第二季度毛亏损3720万美元，重组费用达1.881亿美元。

二、2025年关键战役：8英寸晶圆商业化竞争

技术升级与产能扩张：8英寸晶圆相比6英寸可提升芯片产出量约2倍，降低单位成本，成为厂商竞争焦点。

已量产项目：

Wolfspeed：全球首家8英寸SiC晶圆厂（Mohawk Valley）已投产，2025财年前两季度贡献收入超1亿美元。

英飞凌：马来西亚居林工厂一期于2024年8月投产，2025年规模化量产。

2025年计划投产项目：

意法半导体&三安光电：重庆合资厂总投资32亿美元，2025年四季度量产。

罗姆：日本福冈工厂2025年生产8英寸产品，宫崎第二工厂2026年投产器件。

安森美：韩国富川工厂2025年完成8英寸转换，年产能超100万片。

在建项目：意法半导体意大利卡塔尼亚工厂（2026年投产）、三菱电机日本熊本工厂（2025年11月投产）等。

中国厂商加速追赶：

联合利华：绍兴8英寸SiC MOSFET生产线预计2025年量产。

士兰微电子：启动120亿元8英寸功率器件芯片项目。

天岳先进、天科合达：布局8英寸衬底生产。

供应过剩风险：多家厂商集中投产可能引发短期供应过剩，但技术成熟度与良率差异将影响实际供应能力。麦肯锡报告指出，8英寸供应商若能保持成本优势，将在竞争中占据主动。

三、长期增长动力：电动汽车与工业应用

电动汽车渗透率提升：

当前全球电动汽车SiC渗透率仅6%，但22%新生产车型已采用SiC技术。800V高压平台加速普及，将进一步推动需求。

Yole Group预测，SiC器件市场规模到2029年将达100亿美元，2023-2029年复合年增长率24%。

工业能源领域崛起：

能源存储、光伏逆变器等工业应用成为新增长点，对高效功率器件需求持续扩大。

技术壁垒与竞争格局：

技术领先：厂商需攻克8英寸晶圆良率、缺陷控制等难题，提升产品可靠性。

成本优化：通过规模化生产降低单位成本，满足汽车客户对性价比的严苛要求。

产能保障：稳定供应能力将成为赢得长期订单的关键。

四、厂商策略分化：并购整合与稳健扩张安森美：通过收购Qorvo SiC JFET业务（1.15亿美元）巩固技术优势，拓展数据中心、电动汽车等高端市场。稳健派：部分厂商选择分阶段扩张，优先提升良率而非盲目扩产，以规避供应过剩风险。结语

2025年将是SiC行业“洗牌之年”，技术、成本与产能的博弈将决定市场格局。短期波动难以避免，但电动汽车与工业能源的长期需求仍为行业提供强劲支撑。率先实现8英寸晶圆规模化生产、掌握核心工艺、并构建成本优势的厂商，将主导未来十年功率半导体市场。

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