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【2022研电赛】商业计划书赛道上海市一等奖：基于多目标排序预测控制的SL-qZSI光伏储能系统

2022研电赛商业计划书赛道上海市一等奖：基于多目标排序预测控制的SL-qZSI光伏储能系统

该项目由上海理工大学科研创新队完成，指导老师为罗韡，参赛队员包括吕哲、李天皓、陈兴辉。该项目在2022年第十七届中国研究生电子设计竞赛商业计划赛道上海赛区荣获一等奖，并在全国赛中荣获三等奖。

项目意义

为解决电源并网时可能产生的电压不稳定、功率不平衡等问题，微电网技术逐渐受到人们的关注和深入研究。本项目以光伏阵列为微电源，并集成蓄电池和超级电容储能的微电网，旨在有效利用太阳能的同时，保证直流负载和交流负载的不间断供电。在太阳能充足的情况下（如白天），系统将发电能量进行存储；在阴天或夜晚，电池将储存的能量释放。储能电池作为一个能量缓冲池，能够储存多余的电能，并在需要时释放，对电网起到“削峰填谷”的作用。

本项目的产品以储能、变流一体化的优势进入市场，功能实用，易于被相关企业发现，从而有助于推广和增加销量。此外，该产品以其更好的电能质量将受到电力行业的信赖。该产品与电力息息相关，自然与人们的生活也息息相关，能够取代传统的电力变流装置，成为时代发展的必然产物。

解决方案

本团队的核心产品是基于多目标优化排序模型预测控制的SL-qZSI光伏储能系统。该系统包括储能型SL-qZSI数学模型的建立、多目标排序FCS-MPC基本原理和控制流程以及代价函数的设计等。所提控制策略无需设计权重系数，通过将多目标优化预测与光伏储能系统深度融合，提高了光储系统的供电稳定性及效率，重塑了光伏储能系统在行业应用中的生产力。

储能技术的应用可以有效地解决相关问题，是对公共电网的有效补充，凸显了发电灵活、清洁高效的特点，能够产生更大的经济效益和社会价值。

产品原理

本项目基于SL-qZSI的数学模型，结合多目标优化排序的优点，设计了基于多目标优化排序的SL-qZSI模型预测控制策略。控制算法流程如下：

SL-qZSI在直通模式下，SL-qZ源网络中电感L1的电流处于上升状态；在非直通模式下，电感L1的电流处于下降状态。根据代价函数gL，利用电感电流分别在直通模式和非直通模式下的预测值，判断逆变器下一个开关状态是否处于直通模式。若下一个开关状态是直通模式，则开关管均导通；若下一个开关状态是非直通模式，则分别计算7个非直通模式电容电压和负载电流的代价函数gi和gc。把gi和gc的值按照[0,6]从小到大顺序进行排序，得到gi和gc的排序值。把gi和gc的排序值进行求和计算，得到排序和。最小的排序和对应的开关状态应用到逆变器的下一个控制周期。

产品技术

信号采样电路：主要对负载相电流、相电压、电容电压以及电感电流等数据进行采样和处理。DSP接收采样电路反馈的数据后，对多目标优化排序模型预测控制算法进行运算，发送脉冲指令给FPGA。FPGA再经由一系列处理后输出6路PWM脉冲信号。这些脉冲信号经由驱动电路放大后，驱动IGBT开关管的通断，从而实现逆变器交流电压和电流的输出。驱动模块：在IGBT开关管的控制中起到了至关重要的作用。驱动电路的作用主要是将控制核心的脉冲输出功率进行放大，以达到驱动IGBT功率开关的目的。为了保证IGBT功率开关管安全、可靠、稳定的运行，驱动电路可实现控制电路和被驱动IGBT栅极的电隔离，起着决定性的作用。采样电路：选用霍尔电流传感器LA100-P和霍尔电压传感器LV25-P。采样电路主要对SL-qZSI光伏储能系统主电路中的输出电压、电流、电容电压以及电感电流等参数进行采样处理，然后将其传送回处理器当中用于算法的运算。

本实验主功率电路为SL-qZSI拓扑，通过控制6个功率开关的开通和关断，实现直流电到交流电的转换。测试实验控制算法基于dSPACE半实物仿真平台，为避免电磁干扰，dSPACE输出控制信号经光纤传输给驱动电路，由驱动电路控制IGBT功率开关管。

总结与展望

光伏发电已成为我国电力能源的重要来源之一。本项目采用的方案易于实现，成本低廉，凭借其电压变换范围大、允许桥臂直通、输出电能质量高等特性，对于提高光储系统供电稳定性及效率具有重要意义。实际效果优越，安全可靠，能够很好地解决蓄电池运维困难的问题，有效降低客户企业的运营成本，展现出良好的发展前景。

欧洲能源展会丨2026年2月瑞典延雪平太阳能展 Elmia Solar

2026年2月瑞典延雪平太阳能展Elmia Solar核心信息汇总

展会基础信息时间：2026年2月3-5日地点：瑞典延雪平主办方：Elmia AB定位：北欧太阳能全产业链展会，覆盖光伏、储能、充电基础设施及安装服务，是技术、政策与市场的核心对接平台。核心价值与亮点

客户拓展与订单转化

往届成果：

2025年展会促成德国逆变器商EWS签约3家瑞典分销商，晶澳（JASolar）获200MW地面电站组件订单。

观众中68%为采购决策者（电企、工程商、政府代表），精准对接需求。

区域辐射力：延雪平位于斯德哥尔摩-哥德堡经济走廊中心，覆盖宜家、伊莱克斯等企业总部，吸引北欧头部能源买家。

技术曝光与行业背书

创新发布平台：2025年Sungrav Europe首发抗冻型光伏板，获瑞典能源署推荐。

奖项影响力：联合瑞典太阳能协会颁发“Solar Energy Award”，2025年获奖企业Castellum品牌曝光度提升40%。

政策与市场前沿洞察

官方参与：瑞典能源署、国家电网（Svenska Kraftn?t）发布2026年政策预告：

工商业PPA（电力购买协议）补贴延续；

取消户用电池税收减免（2026年生效）；

挪威Solenergiklyngen机构联合举办跨境许可研讨会，助力企业打通瑞挪市场。

展品范围与重点技术

光伏技术创新区

高效组件：单晶/多晶面板、BIPV（建筑一体化）系统（如隆基、晶澳展出的23%+效率组件）。

智能逆变器：组串式/微型逆变器（如Sungrow SG350HX），支持V2G（车网互动）功能。

储能与电网解决方案区

电网级储能：LFP电池系统（占瑞典项目80%份额）、AI驱动的BESS管理平台。

工商业应用：Ingrid Capacity等企业展示211MW调频储能案例。

电动出行生态区

快充设备：22kW以上直流快充桩（瑞典2030年需15万个，缺口80%）。

V2G技术：Fronius等企业演示电动车反向供电电网技术。

安装与安全服务区

耐寒安装系统：如Weland St?l的屋顶/地面耐寒支架（-30℃运行）。

智能运维工具：实时监测与故障诊断系统。

市场机遇与需求分析

需求爆发领域

光伏：2024-2029年CAGR 12.45%，地面电站主导（如Recap Energy 200MW项目）。

储能：锂电市场CAGR 20.3%（2023-2030），调频服务占收入30%。

快充设备：2024年公共充电桩仅3.1万，2030年目标15万。

政策变化与进口依赖

户用光伏：安装成本抵扣补贴率从50%降至15%（2026年）。

工商业项目：PPA模式免税政策维持支持。

进口缺口：

光伏组件60%依赖进口（中国主导），高效单晶需求激增；

储能电芯（LFP电池）进口额2025年预计增长15%至12亿美元。

参展建议产品定位：

主推耐寒组件（-30℃运行）、1小时调频储能系统、智能V2G充电桩。

本地化合作：

联合瑞典安装商（如Solelelsgrossisten）提供“产品+服务”包，降低市场准入门槛。

政策借力：

强调工商业PPA模式收益（2024年相关安装量增73%），吸引长期投资客户。

主办方实力与行业支持权威伙伴：瑞典太阳能协会、挪威可再生能源协会、Glava能源研究中心共同策划议程。国际参与：2025年12国展商参展（中德占比超50%），华为、SAJ等连续3届参展。

总结：Elmia Solar已成为北欧可再生能源领域的“政策-技术-市场”三角中枢。2026年展会将进一步放大瑞典光伏、储能、充电基建的增量机遇，参展企业可通过该平台直触北欧决策核心，抢占2045碳中和目标下的千亿级市场先机。

capxon电解电容是什么牌子

CapXon（丰宾）是中国台湾丰宾电子工业股份有限公司旗下的电解电容品牌，属于行业头部制造商之一。

1. 品牌背景

CapXon中文名称为丰宾，成立于1980年，总部位于中国台湾，在广东、江苏、江西等地设有生产基地。该公司为台北和香港上市公司，全球铝电解电容产能排名第六，在国内台资企业中位列第一。

2. 核心技术与优势

丰宾是少数具备自产铝箔能力的电容制造商，实现了从原材料到成品的垂直整合生产链。产品通过ISO 9001、ISO 14001、IATF 16949、RoHS等国际认证，并符合汽车电子AEC-Q200标准要求。

3. 主要产品系列

包括贴片铝电解电容（SMD）、径向引线型电容、螺栓型（Snap-in）大容量电容、导电高分子固态电容等。其低阻抗系列（如GF、GL）具备低ESR和高纹波电流特性。

4. 应用领域与合作企业

广泛应用于消费电子、工业电源、汽车电子等领域，近年重点布局光伏逆变器、电动汽车及充电桩市场。长期合作客户包括三星、索尼、华为、飞利浦、长虹等国际知名企业。

微碧半导体推出新一代中低压功率MOSFET技术SGT MOSFET

微碧半导体推出的新一代中低压功率MOSFET技术SGT MOSFET，通过创新设计显著提升了器件性能，其核心特点与应用价值如下：

技术原理与结构创新电场形态优化：SGT技术将传统MOSFET的三角形电场重构为压缩梯形电场，使EPI层厚度大幅降低，从而减少导通电阻Rds(on)。屏蔽栅结构：在栅电极下方增加多晶硅屏蔽电极，屏蔽栅极与漂移区的相互作用，减小米勒电容和栅电荷，提升开关速度并降低损耗。性能优势对比

开关性能提升

栅电荷减少：SGT MOSFET的栅电荷显著低于传统沟槽型MOSFET，开关损耗降低约30%-50%。

导通电阻优化

内阻降低：SGT技术使导通电阻比普通沟槽型MOSFET低2倍以上，特征电阻（Ron·A）减少40%-60%。

损耗与效率

总损耗降低：在相同功耗下，SGT MOSFET的芯片面积减少超40%，且开关损耗与导通损耗综合优化，系统效率提升10%-20%。

可靠性增强

雪崩能力提升：SGT结构优化了漂移区电场分布，可承受更高雪崩击穿能量和浪涌电流，功率密度提高30%以上。

应用场景与市场价值

核心应用领域：

手机快充：同步整流电路中，SGT MOSFET的低导通电阻和高开关速度显著提升充电效率。

电机驱动：无刷电机（BLDC）中，SGT MOSFET的低损耗特性延长续航时间并减少发热。

电源管理：在DC-DC转换器和逆变器中，SGT技术实现高功率密度与高效率的平衡。

市场需求驱动：随着电动汽车、5G基站、工业自动化等领域的快速发展，中低压MOSFET需求激增。SGT MOSFET凭借其性能优势，成为这些场景的核心功率器件。

产品系列与展会信息

代表型号：微碧半导体已推出多款SGT MOSFET产品，包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103等，覆盖不同电压与电流等级。

展会动态：微碧半导体将于2023年7月11-13日参展慕尼黑上海电子展（展位号：7.2H-A606），现场展示SGT MOSFET、IGBT及宽带隙材料研发成果，并提供技术交流机会。

总结

微碧半导体的SGT MOSFET技术通过结构创新与电场优化，实现了开关性能、导通电阻和可靠性的全面提升，广泛应用于高效率功率转换场景。其产品系列已通过市场验证，并在2023慕尼黑上海电子展中展示最新研发成果，为行业提供高性能解决方案。

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