dts逆变器



方正微电子、安世半导体发布最新碳化硅新品

方正微电子推出了高性能碳化硅MOS功率模块FA120P002AA（1200V 2.1mΩ），安世半导体推出了两款1200V 20A碳化硅肖特基二极管PSC20120J和PSC20120。 具体介绍如下：

方正微电子：高性能碳化硅MOS功率模块FA120P002AA产品概述：

近日，方正微电子正式推出高性能碳化硅（SiC）MOS功率模块——FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）。

技术特点：

芯片与封装：采用自研自产的车规级SiC MOS芯片，通过芯片银烧结、DTS等先进工艺封装。

内部设计：合理紧凑的芯片布局，有效降低电压尖峰、电压振荡、开关损耗以及EMI噪声，提升电气性能和复杂工况适应性。

应用表现：

测试验证：针对新能源汽车主驱应用场景进行多工况电机台架测试，在波形、芯片温度、堵转、循环工况及老化等方面表现出色。

解决方案：为新能源纯电动汽车和混合电动汽车的主驱逆变器提供最优方案。

可靠性与耐用性：

满足国际电子元件AQG-324可靠性标准，芯片关键可靠性项目可轻松通过3000小时认证。

安世半导体：1200V 20A碳化硅肖特基二极管PSC20120J和PSC20120产品概述：

安世半导体宣布推出两款1200V 20A SiC肖特基二极管，旨在满足AI服务器、电信设备和太阳能逆变器应用的电源装置对超低功率损耗整流器的需求。

技术特点：

性能优势：通过不受温度影响的电容开关和零恢复特性实现领先性能，开关性能几乎完全不受电流和开关速度变化的影响。

结构稳健性：具备合并式PiN肖特基（MPS）结构，在抵御浪涌电流上表现出稳健性，降低对额外保护电路的要求。

封装形式：

PSC20120J：采用真双引脚D2PAK R2P（TO-263-2）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装。

PSC20120L：采用真双引脚TO247 R2P（TO-247-2）通孔功率塑料封装。

应用优势：

这些特性使得安世半导体的SiC肖特基二极管在高性能电源应用中具有显著优势。

不同上网模式下电表的接入方式及电价计算

电表，电力计量的核心工具，由供电局安装，对于光伏收益计算至关重要。上网模式的不同，对电表的接入方式和电价计算有直接影响。

电表种类繁多，按工作原理分有机械式和电子式，按相数分有单相、三相三线、三相四线，按计量方向分单向和双向。例如，型号DTS1032的电表即为三线四线电子式电表。

首谈"全额上网"模式，光伏电力全部卖给电网，需用单向计量电表。而"自发自用，余电上网"则需单向表与双向表配合，单向表计量自用，双向表则记录余电上网部分。

在低压计量中，全额上网只需增装单向表，电价以当地标杆上网电价计算；自发自用则涉及补贴、脱硫煤电价和居民电价的计算，复杂但明确。

高压计量涉及高供高计和高供低计，前者多用于三相三线电表，后者则用三相四线，计量电流互感器的选择需谨慎，确保与负荷匹配，避免过载或烧损。

电表显示的发电量可能与实际略有出入，这可能源于屋顶条件、逆变器规格、施工工艺、电压和电表误差等多种因素，需关注误差范围是否正常。

本文总结了电表接入、电价计算及误差分析的关键点，帮助理解光伏系统。虽然内容详尽，但仍可能存在不足，期待读者的指正和分享。

贺利氏电子张靖：电动化提速，功率半导体的材料工艺革命是关键一环

贺利氏电子张靖认为，在电动化提速背景下，功率半导体的材料工艺革命是关键，以SiC为代表的第三代半导体引领技术革命，封装材料和工艺需创新升级，未来SiC功率模块将成为主流，相关封装材料技术迎来增长机会。

电动化对功率半导体材料提出新要求

电动汽车日益普及，但里程焦虑成为其快速渗透的主要障碍。车企及产业链上下游从增强电池能量密度、加快充电时间等方面努力，而让电更有效的技术和材料成为关键。

一直以来广泛使用的硅基材料在工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器件开关速度等方面几近物理极限，尤其在高频和高功率领域局限性明显，难以满足新能源汽车高速发展对车用半导体材料越来越高的要求。

第三代半导体材料优势明显

以SiC为代表的第三代半导体材料具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高频、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。

SiC在能量利用上表现出色，在新能源汽车上优势明显。它可以让电动汽车在同样的里程需求下使用更少的电池，节省电池成本的同时减轻汽车重量，因此成为当前电动汽车领域的热门技术。

SiC芯片封装面临挑战，推动技术创新

SiC芯片对封装要求极高，其工作温度更高，对散热和可靠性的要求也更加严苛，需要相配套的封装材料同步跟进。传统功率模块中，采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃，应用于SiC芯片175 - 200℃甚至更高温度时，连接层性能会急剧退化，影响模块工作的可靠性。

对于转向第三代半导体材料的功率半导体，封装成为实际上的性能瓶颈。例如，以往用于芯片贴装的焊接材料在热导率和可靠性方面有瓶颈，能够承受的工作温度最多在150℃左右，而SiC芯片工作温度可能超过175℃。

烧结银材料工艺成为关键。烧结材料可以承受的工作温度通常可达200℃ - 300℃，成为焊接工艺理想的替代方案。采用烧结银技术进行芯片粘接，可大大降低总制造成本，加工后无需清洗，还可缩短芯片之间的距离。

SiC功率半导体市场前景广阔

SiC等第三代半导体在未来3 - 5年内，在功率器件领域会迎来大的应用爆发。随着新能源汽车、5G通信、高端装备制造等产业蓬勃发展，汽车电子、消费电子、计算机和工业控制等领域对功率器件要求越来越高，如更长的寿命、更高的效率、更少的模块制造步骤和无铅监管等。

新能源汽车的蓬勃发展将打开SiC功率器件的巨大应用市场。目前全球已有超过20家汽车厂商在车载充电系统中使用SiC功率器件，根据Yole的数据，2017 - 2023年期间，来自汽车应用的SiC功率器件市场复合年增长率（CAGR）高达73%。

800伏架构推动SiC等材料应用

为改善里程焦虑，越来越多的电动汽车制造商准备引入800伏的驱动系统。将电压提高，可以用较低的电流提供同样多的电力，采用更轻的电缆，减轻车身重量，增加续航里程。例如现代及其合作伙伴起亚推出的800伏车型EV6，搭载77千瓦时的电池，只需18分钟便可将电量从10%充到80%。

此前大多数电动汽车工作电压为400伏，主要因缺乏能承受更高电压的半导体。构建800伏架构需要从电池包、电池到整个电子系统全面优化，电机逆变器是重要零部件，400伏系统大部分采用硅基的IGBT，而800伏架构下需要SiC、GaN等宽禁带材料，以降低功率损耗，提高电动汽车整体续航效率。

未来SiC功率模块将成为主流，相关技术迎来机会

未来SiC功率模块将是新能源车用电子的主流方案，相应的功率模块封装材料技术也将迎来一波增长机会。除了烧结银材料之外，实现更高热导率的覆铜陶瓷基板（AMB）也正被特斯拉、比亚迪等越来越多的车企采用。

贺利氏电子围绕第三代半导体开发出很多出色的封装产品和解决方案，如固晶材料（DA）、线材（WB）、金属陶瓷基板等。其独有的Die Top System（DTS）材料解决方案系统，通过材料创新优化电力电子模块性能，能将电力电子模块使用寿命延长50多倍，并确保芯片载流容量提高50%以上。

国内大部分想尝试SiC技术的厂商都与贺利氏有一定合作交流。贺利氏电子创新中心目前正在进行的项目大部分都与SiC模块相关的技术研发，其在功率模块封装领域丰富的解决方案、服务组合及经验，将帮助客户缩短研发进程、提高产品首次成功率、赢得最大化效益。

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