青州逆变器



新能源又可以开始看起来了吗？

新能源部分赛道开始具备性价比，但需分板块具体分析，整体尚未全面迎来新一轮大机会。以下是详细分析：

光储板块光伏：全产业链产能已经或即将过剩，进入降价周期，竞争格局全面恶化，因此不再具有关注价值。储能：

国内大储由于招标模式原因，盈利情况不确定；美国大储受政策因素影响存在担忧，一直关注的是具有消费属性的户储。

以锦浪科技为例，预测23年利润24亿，对应估值27倍。根据对欧洲户储市场跟踪，预计23年市场需求增速是50%，但多数企业对今年利润预测翻倍，预期乐观。即便业绩达标，27倍估值也只是略微偏低，向上赔率不诱人。其他企业如固德威、德业、禾迈、昱能也有类似问题，在当下遍地低估值企业情况下，户储估值水平不算特别有吸引力。

如果户储相关企业股价再下降，可能会观察微逆两家企业机会。微逆竞争格局目前比储能逆变器好一些，但在美国市场被Enphase和SolarEdge压制，能否利用成本优势或差异化竞争策略抢占美国市场份额是关注重点。

风电板块主要关注竞争格局最好的海缆环节，以龙头企业东方电缆为例，对应今年20倍估值，开始具备性价比。海风近期因青州五七项目，市场担心高电压海缆价值量降低，目前看应是青州项目特殊性造成。220kV级的海缆市场已被起帆电缆为代表的二线海缆企业突破，500kV级的海缆订单仍被三家龙头企业包揽。不过对于制造业来说，电缆技术壁垒难坚持太久，但现阶段市场反应过度。半导体板块半导体设计和制造仍处于去库存周期，市场预期还有1 - 2个季度下行周期将结束，主要讨论半导体设备和零部件的国产替代线。跟踪的富创精密是半导体零部件行业龙头，但自上市以来估值始终不低；新莱应材4季度业绩不理想；正帆科技4季度业绩不错，据了解23Q1相关订单仍延续较快增长态势，对应23年估值23倍。与海缆低估值原因不同，半导体设备零部件板块竞争格局较好，目前压制板块估值的不是竞争格局问题，而是美、日、荷的联手限制。实际上这影响的是高端制程部分，国内设备和零部件企业主要业务在中低端制程产品上，所以半导体现在更多是受市场情绪影响，横向对比全行业，已经开始具备性价比。

中国企业发力，助攻半导体“潜力股”飞升

中国企业正通过加速硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术布局，推动这一半导体“潜力股”在高频、高功率领域快速崛起，尤其在5G通信和电力电子应用中展现出显著优势。

一、本土企业加速GaN-on-Si产能扩张与技术布局

晶圆厂建设提速

英诺赛科：其8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段已量产，预计2021年产能达6000片/月，全部达产后年产能将达78万片8英寸晶圆。项目覆盖全产业链，包括器件设计、材料制造、封测及模块加工。

赛微电子：与青州市政府合作投资10亿元建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件项目，一期产能5000片/月，二期达12000片/月，重点服务电力电子和5G基站市场。

其他厂商：三安光电、海特高新、苏州能讯等本土企业也在加大GaN-on-Si研发投入，形成从衬底到封测的完整产业链。

技术路线选择

国际大厂（如Qorvo、英飞凌）多采用碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC），但本土企业因成本考量，普遍选择硅基技术。GaN-on-Si的衬底成本仅为GaN-on-SiC的1/3-1/5，且更易扩展至8英寸晶圆，提升规模效益。

二、GaN-on-Si的技术优势与市场潜力

性能与成本平衡

性能：GaN-on-Si器件的功率密度可达传统LDMOS的5-8倍，高频（>2GHz）下成本与LDMOS相当，且具备高击穿电压（>10kV）、低导通电阻、零反向恢复电荷等特性。

成本：硅衬底价格低廉，且与现有CMOS工艺兼容，可利用成熟代工厂实现快速量产。例如，英诺赛科项目通过全产业链整合，进一步压缩成本。

5G通信与电力电子驱动需求

5G基站：毫米波频段对射频芯片需求激增，GaN-on-Si凭借高功率效率（>70%）和单位面积功率提升4-6倍的优势，成为基站PA（功率放大器）的理想选择。

电力电子：在快充、数据中心、光伏逆变器等领域，GaN-on-Si的能耗比硅器件低30%-50%，且体积更小，符合节能减排趋势。

终端应用拓展

基站侧：Macom、三安光电、英诺赛科等厂商聚焦Sub-6GHz和毫米波频段射频芯片研发。

手机侧：台积电、英特尔等晶圆厂探索GaN-on-Si在终端的应用，如手机射频前端模块（RFEM）。

三、技术挑战与行业创新方向

材料与工艺瓶颈

热阻与散热：硅衬底导热性较差，导致器件高温下性能下降。解决方案包括：

局部去硅衬底：Imec通过去除部分硅衬底实现3kV击穿电压；

绝缘体上氮化镓（GNOI）：在硅衬底与器件层间插入绝缘体，提升散热和可靠性。

大尺寸晶圆生长：GaN-on-Si易出现位错密度高、晶圆翘曲等问题，需优化外延生长工艺。

异构集成难题

热兼容性：GaN器件发热量大，可能引发CMOS器件阈值电压漂移。业界正开发8英寸晶圆键合技术，隔离热源。

电磁兼容性：GaN电路偏压高，易干扰CMOS区域。通过优化布局和屏蔽设计降低耦合效应。

工艺兼容性：解决GaN高温工艺（如退火）对硅晶圆的污染问题，提升良率。

创新突破案例

松下公司：采用蓝宝石衬底实现10kV击穿电压，但成本较高；

麻省理工学院：将GaN外延层转移至玻璃衬底，击穿电压提升至1.5kV，但玻璃导热性差；

新加坡-MIT联盟：开发GNOI技术，兼顾散热与CMOS兼容性。

四、未来展望：GaN-on-Si的黄金发展期

市场前景

5G毫米波市场扩容将推动GaN-on-Si需求爆发，预计2025年全球市场规模超10亿美元。

电力电子领域（如新能源汽车、工业电机）的渗透率持续提升，形成第二增长曲线。

本土企业机遇

中国凭借完整的产业链布局和政策支持，有望在GaN-on-Si领域实现弯道超车。例如，英诺赛科的全产业链模式可缩短研发周期30%以上。

异构集成技术的突破将进一步巩固GaN-on-Si在高端市场的地位，吸引更多国际订单。

结语：GaN-on-Si凭借低成本、高集成度和性能优势，已成为高频、高功率场景的核心技术。中国本土企业通过产能扩张、技术迭代和生态整合，正加速这一“潜力股”的商业化进程，未来有望在全球半导体竞争中占据重要席位。

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