逆变器fwd



正弦em500正反转参数

正弦EM500变频器的正反转功能是通过参数设置实现的，核心参数为F0.03（运行指令通道）和F0.07（运行方向设定）。

1. 正反转相关核心参数

正反转控制主要涉及以下两个基础参数：

•F0.03 (运行指令通道)：需设置为1（端子指令）才能通过外部接线（如正转FWD、反转REV端子）来控制电机转向。

•F0.07 (运行方向设定)：此参数用于设定电机的默认旋转方向。通常设置为0（正向方向），此时端子指令与电机转向关系为：FWD接通正转，REV接通反转。若设置为1（反向方向），则端子功能相反。

2. 操作前提与安全设置

在进行正反转设置前，必须完成以下基础检查和参数配置：

- 确保电机铭牌参数已正确输入至变频器，包括额定电压（F1.01）、额定电流（F1.03）和额定频率（F1.05）。

- 检查电机接线（星形/三角形）必须与参数F1.07 (电机类型)的设置匹配。

- 根据实际需要设置加减速时间（F0.17, F0.18），以避免正反转切换时电流冲击过大。

3. 正反转控制逻辑

其内部控制逻辑如下：

- 当F0.07=0时，控制器接收正转指令（FWD端子闭合），驱动逆变器输出正相序电压，电机正向旋转。

- 当接收到反转指令（REV端子闭合）时，控制器改变输出电源的相序，驱动电机反向旋转。

重要提示：不同应用场景或 firmware 版本可能存在差异，最准确的参数定义和设置方法请以设备随附的官方说明书为准。操作前务必断电检查接线，确保安全。

深度剖析！MOS和IGBT究竟区别在哪？（二）

IGBT是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件，与MOSFET在结构、特性、应用场景等方面存在区别，IGBT在高压大功率低频场景表现卓越，MOSFET在高频场景更具优势。具体如下：

结构与原理IGBT：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。它实际是MOSFET和晶体管三极管的组合，这种组合使得IGBT克服了MOSFET高压时导通电阻高的缺点，在高压时仍具有较低的导通电阻。MOSFET：即金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件，其结构主要由源极、漏极和栅极组成，通过栅极电压来控制源极和漏极之间导电沟道的形成和消失，从而控制电流的通断。特性对比输入阻抗与控制功耗

IGBT：具有输入阻抗高的特点，采用电压控制方式，功耗低，控制电路相对简单。

MOSFET：同样输入阻抗高，也是电压控制型器件，控制功耗较低。

导通电阻

IGBT：在高压情况下，IGBT的导通电阻仍然较低，这使得它在高压大电流的应用场景中能够减少能量损耗，提高效率。

MOSFET：在高压时导通电阻会显著增大，导致功耗较大，因此在高压大电流场合的应用受到一定限制。

开关速度

IGBT：存在关断拖尾时间，这使得它的开关速度相对较慢。由于关断拖尾时间长，死区时间也要相应加长，从而影响了开关频率。

MOSFET：高频特性好，工作频率可以达到几百kHz甚至上MHz，能够快速地开关，适用于对频率要求较高的电路。

耐压与电流承受能力

IGBT：耐高压，能够承受较大的电流，这使得它在需要高电压和大电流的应用中具有优势。

MOSFET：一般来说，耐压和电流承受能力相对IGBT较低，不过随着技术的发展，也有一些高压大电流的MOSFET产品出现，但在相同功率容量下，与IGBT相比仍有差异。

内部结构特殊元件

IGBT：内部通常有体二极管，这个体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

MOSFET：部分MOSFET内部也有体二极管，但并非所有MOSFET都具备，且其体二极管的作用和特性与IGBT中的体二极管有所不同。

应用场景IGBT：非常适合应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等对功率要求较高且频率相对较低的场合。MOSFET：主要应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域，在这些对频率要求较高、功率相对较小的场景中发挥着重要作用。选用依据

在电路中选择使用MOS管还是IGBT，可以从系统的电压、电流、切换功率等因素考虑：

电压因素：在高压系统中，IGBT由于具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，通常更具优势；而在低压系统中，如果对频率要求较高，MOSFET可能是更好的选择。电流因素：对于需要承受较大电流的应用，IGBT的电流承受能力使其成为首选；而在电流较小的场合，MOSFET可以满足需求且具有更好的高频特性。切换功率因素：如果系统需要较高的开关频率，MOSFET的高频特性使其更适合；而对于低频高功率的切换，IGBT的表现更为卓越。

也可参考以下条件进行选择，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

储能系统的关键零部件——IGBT介绍

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是储能系统逆变器的核心功率半导体器件，其性能直接影响储能系统的效率与可靠性。以下从技术特性、应用价值、分类及市场现状四个维度展开分析：

一、技术特性：复合型功率器件的典型代表

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）复合而成，兼具高输入阻抗（MOSFET特性）和低导通压降（GTR特性）的优势。其核心功能是通过栅极电压控制电子流动，实现高效开关操作：

导通机制：正向栅极电压形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；关断机制：反向栅极电压消除沟道，切断基极电流，实现快速关断。

技术优势包括：

高开关速度：适用于高频变压、变频场景；大通态电流：支持高功率传输；低导通损耗：减少能量损耗，提升系统效率；驱动电路简单：与MOSFET驱动方式兼容，降低设计复杂度。二、储能应用价值：逆变器性能的关键决定因素

IGBT在储能系统中承担变压、变频、交直流转换等核心功能，其价值量占逆变器成本的20%-30%。与光伏系统相比，储能系统对IGBT的需求更高：

独立储能系统：功率半导体用量是光伏的1.5倍，因需同时处理DCDC（直流-直流）和DCAC（直流-交流）转换；光储一体系统：目前占比超60%-70%，通过共享IGBT模块降低整体成本；效率优势：IGBT在储能逆变器中逐步取代MOSFET，成为主流选择，推动新能源发电行业（如光伏、风电）的快速发展。三、产品分类：多样化结构满足不同场景需求

IGBT按结构形式和应用场景可分为以下类型：

按结构形式：

单管：适用于小功率场景（如家用电器、分布式光伏逆变器）；

模块：由IGBT芯片与FWD（续流二极管）封装而成，占比约75%（IHS数据），应用于大功率场景（如工业变频器、新能源汽车电机控制器）；

智能功率模块（IPM）：集成驱动电路和保护功能，广泛用于白色家电（如变频空调、洗衣机）。

按电压等级：

超低压/低压/中压：覆盖新能源汽车、工业控制、家用电器等领域；

高压：用于轨道交通、新能源发电和智能电网等高电压场景。

四、市场现状：国产替代加速，自给率逐步提升

全球竞争格局：

海外主导：英飞凌、三菱电机、富士电机占据主要市场份额，2022年英飞凌在中国市场占比达15.9%；

模组市场集中度高：CR3（前三名）达56.91%，国产厂商斯达半导和中车时代合计占比5.01%；

分立器件市场：全球CR3为53.24%，士兰微以3.5%进入前十。

国产替代进展：

自给率提升：2022年中国IGBT产量0.41亿只，需求量1.56亿只，自给率26.3%；

驱动因素：

海外供应紧张：光伏芯片大厂交期延长，推动逆变器企业加速验证国产IGBT；

性能需求升级：新能源发电对效率要求高，客户更关注性能而非价格；

本土化优势：国产企业与逆变器厂商合作紧密，服务响应更快。

未来趋势：

技术突破：高压、大功率IGBT模块国产化进程加速；

市场渗透：依托中国逆变器全球领先地位，国产IGBT有望进一步提升市场份额。

总结

IGBT作为储能系统的“心脏”，其技术特性与市场格局深刻影响着行业发展趋势。随着国产替代加速和高压模块技术突破，中国IGBT产业有望在全球竞争中占据更重要地位，为新能源转型提供核心支撑。

变频器rev是什么意思

变频器中的"rev"标识代表反转功能。在变频器的操作面板上，通常会有"fwd"（正向）和"rev"（反转）这样的按键，允许用户进行现场控制。按下"fwd"按钮可以实现电机的正转，而按下"rev"按钮则使电机反转。

变频器（Variable-frequency Drive，VFD）结合了变频技术和微电子技术，通过改变电动机工作电源的频率来控制交流电动机，这是一种电力控制设备。变频器的主要组成部分包括整流器（将交流转换为直流）、滤波器、逆变器（将直流转换为交流）、制动单元、驱动单元、检测单元和微处理单元等。通过内部IGBT的开关操作来调整输出的电源电压和频率，变频器能够根据电动机的需求提供适当的电源电压，以此达到节能和调速的目的。此外，变频器还具备多种保护功能，包括过流、过压和过载保护等。随着工业自动化水平的提升，变频器得到了广泛的应用。

fr一f740变频器参数(变频器fwd是什么意思)

（1）操作面板（FR-DU04）

操作面板FR-DU04可用于设置操作频率，监视操作命令，设置参数，显示错误和复制参数。

操作面板FR-DU04的各个部分的名称如图2-8-25所示。操作面板缩写为“ PU”。

1.控制面板上每个按钮的说明（请参阅表2-8-7）

图2-8-25操作面板（FR-DU04）

表2-8-7操作面板上每个键的说明

2.单位显示，操作状态显示

表2-8-8

显示说明显示说明Hz在PUPU工作模式下显示频率时点亮EXT当显示V电压时点亮向前旋转FWD时闪烁进行更改。

通过按MOD键更改监视器显示，如图2-8-26所示。

图2-8-26按MOD键更改监视器的显示。

4.显示（请参阅图2-8-27）

（1）监视器显示正在执行的命令。

1）EXT指示灯点亮，指示外部操作。

2）PU指示灯点亮，指示PU操作。

3）EXT和PU指示灯同时点亮，以指示PU和外部操作的组合。

（2）即使在操作过程中，监视器显示也可以更改。

图2-8-27显示状态操作

注释:1。按下标记为* 1的键1.5秒钟以上，以将当前监视模式更改为开机监视模式。

2.按下标记为* 2的键1.5秒钟以上，以显示错误指示，包括后4次。

3.从外部操作模式更改为参数设置模式。

5.频率设置

在PU工作模式下设置运行频率（见图2-8-28）。

6.参数设置

可以使用数字键设置参数值，也可以使用 /键增加或减少参数值。按下键1.5秒钟以写入和更新设置值。将Pr.79“运行模式选择”的设置值从“ 2”（外部运行模式）更改为“ 1”（PU运行模式）（见图2-8-29）。

7.操作模式

有关操作模式，请参见图2-8-30。

8.帮助模式

有关帮助模式的操作，请参见图2-8-31。

（1）报警记录。使用向上和向下键显示后4个警报（与“·”一起使用以显示新警报），如果没有警报，则使用“ E .__ 0”。

图2-8-28频率设置操作

图2-8-29参数设置操作示例

（2）警报日志被删除。清除所有告警记录。

图2-8-30操作模式转换

（3）删除参数，将参数值重置为出厂设置值，并且不初始化校准值。

（4）清除所有。将所有参数值和校准值重置为出厂设置。

（5）用户已被删除。将用户设置的参数和其他参数重置为出厂值。

9.复制模式（请参阅图2-8-32）

参数值可以从操作面板（FR-DU04）复制到另一个变频器（仅FR-A500系列）。操作过程如图2-8-28所示。

从源逆变器读取参数值，将操作面板连接到目标逆变器，然后写入参数值。暂时关闭电源或以其他方式将参数写入目标驱动器，并确保在运行驱动器之前将其重置。

设置参数后，建议再次读取参数设置值。更换逆变器后，将已安装的操作单元的参数设置值写入新的逆变器以完成参数设置。

注意: 1.复制功能运行时，显示屏闪烁，复制完成后，显示屏返回明亮状态。

2.如果在读取过程中发生错误，则会显示“读取错误（E. rE1）”。

3.如果写入时发生错误，则显示“ Write Error（E. rE2）”。

4.如果参数验证不同，则交替显示参数编号和“验证错误（E. rE3）”。如果频率设置或点动频率设置不同，则显示“验证错误（E. rE3）”。 rE3）“”。 rE3）“闪烁。按键可忽略此显示并继续检查。

5.如果目标变频器不是FR-A500系列，则显示“型号错误（E.rE4）”。

（2）由外部信号操作

使用外部信号操作。即，在外部运行模式（频率由电位计设定）下，变频器连接到端子板上的外部运行信号。启动由“启动开关”控制。打开电源后，启动信号（STF，STR）打开并开始工作。如图2-8-33所示。

1.以50Hz运行

以50Hz运行时，操作步骤如表2-8-9所示。

表2-8-9 50Hz操作步骤

续表

2.外部点动操作

在运行时将启动开关（STF或STR）保持在打开状态，并在其关闭时停止。

（1）Pr。 15“点动频率”和Pr。 16设置“点动加减速时间”，然后设置Pr。对于16，请参阅参数分类表。

（2）选择外部操作模式。

（3）打开点动信号点并打开开始信号（STF或STR）以执行点动操作。点动信号端子为Pr。 180-Pr。将其放置在186（输入端子功能选择）之间。

（3）PU操作模式

可以使用PU（FR-DU04/FR-PU04）键盘执行逆变器操作，在此模式下，不需要外部操作信号，可以立即开始操作。操作单元是操作面板（FR-DU04）和参数单元（FR-PU04），如果未在变频器中安装该操作单元，请使用FR-C82（可选）或购买RJ45接口和10BASE-T电缆。其工作原理如图2-8-34所示。

图2-8-31帮助模式操作

（a）帮助模式，（b）警报日志，（c）警报日志清除，（d）参数清除，（e）删除所有，（f）删除用户

图2-8-32复制模式操作

图2-8-33外部信号操作示意图

图2-8-34 PU操作

1.以50Hz运行

有关操作步骤，请参见表2-8-10。在电动机运行时，您可以通过重复表中的步骤2和3来更改运行速度。

表2-8-10在PU工作模式下以50 Hz运行的步骤

续表

2.PU点动操作

仅在按下或键时才起作用，而在松开手指时才停止。

（1）Pr。 15“点动频率”和Pr。 16设置“点动频率加减速时间”参数的值。

（2）设置PU点动操作（使用键将其设置为操作模式，然后使用 /键切换到PU点动操作）。

图2-8-35组合操作模式

（3）按或执行。 （如果电机不旋转，请检查Pr.13“启动频率”。如果将点动频率设置为低于启动频率的值，则电机不旋转）。

（4）组合操作模式（使用外部输入信号和PU进行操作）

组合运行模式也称为“外部/PU组合运行模式”，变频器可以通过以下两种方式之一运行。

一种是用外部信号设置启动信号，频率设置信号由PU操作，另一种是用外部频率设置电位器设置启动信号。该方法如图2-8-35所示。

当从外部输入启动信号（开关，继电器等）时，使用PU设置工作频率（Pr.79=3）。不接受外部频率设置信号和PU的前进，后退和停止键（Pr。75“ PU停止选择=14?17，停止键有效。）

组合的操作模式在表2-8-11中列出。

表2-8-11组合操作模式设置步骤

MOS管和IGBT管区别及结构特点

MOS管和IGBT管区别及结构特点

一、区别

基本定义

MOS管：MOS管是MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的简称，是一种场效应管。它主要分两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此也被称为绝缘栅场效应管。

IGBT管：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

内部结构与特性

MOS管：MOSFET又可分为四大类：N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型。有的MOSFET内部会有个二极管，称为体二极管或寄生二极管，用于防止过压或反向感生电压击穿MOS管。MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT管：IGBT管内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。IGBT管具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性。

应用领域

MOS管：主要应用于开关电源、高频感应加热、高频逆变焊机、镇流器、通信电源等高频电源领域。

IGBT管：则集中应用于焊机、电镀电解电源、逆变器、变频器、超音频感应加热等领域。

性能对比

高频特性：MOSFET管的高频特性好，可工作的频率可以达到几百kHz至上MHz。

导通电阻与功耗：MOSFET管的导通电阻相对较大，在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

二、结构特点

MOS管结构特点

栅极绝缘：MOS管的栅极被绝缘层隔离，这是其被称为绝缘栅场效应管的原因。

寄生二极管：部分MOSFET内部存在寄生二极管，用于保护MOS管免受过压或反向感生电压的损害。

电压控制电流：MOS管通过栅极电压控制漏极电流，具有电压控制电流的特性。

IGBT管结构特点

复合结构：IGBT是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

续流二极管：IGBT管内部的体二极管（FWD）是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的。

耐高压与大电流：IGBT管具有耐高压和承受大电流的能力，适用于低频及较大功率场合。

三、总结

MOS管和IGBT管在基本定义、内部结构与特性、应用领域以及性能对比等方面存在显著差异。MOS管以其高频特性和电压控制电流的特性，在高频电源领域得到广泛应用；而IGBT管则以其耐高压、承受大电流的能力，在低频及较大功率场合下表现出色。在选择功率开关管时，应根据系统的电压、电流、切换功率等因素进行综合考虑。

半导体逆导型IGBT(RC-IGBT)的详解；

逆导型IGBT（RC-IGBT）结合了IGBT和Diode的优点，成为一个整合组件，以降低成本并提高散热性能。RC-IGBT与传统IGBT和FWD结构之间的主要区别在于，RC-IGBT在IGBT底端的P+层保留一部分作为N+，实现了两个元件在单个芯片上的集成，有效减少了芯片面积。这样的设计使得RC-IGBT在保持与普通IGBT相同或略大的芯片面积的同时，减少了约三分之一的总芯片面积，降低了制造和封装成本。

从热阻角度来看，整合了FWD的RC-IGBT可以有效降低二极管的热阻，增加其抗浪涌电流的能力，并在一定程度上降低了IGBT的热阻。这样优化的热管理有助于提升逆变器系统的效率和稳定性。

集成FWD设计还降低了结温波动，改进了在低频率使用或堵转工况下，传统模块中IGBT和FWD间歇工作导致的温度波动问题，提高了器件的功率循环能力。这种集成方式使IGBT和FWD能够共享散热途径，减轻单个器件承受的热量负荷，从而降低结温波动，增强器件的可靠性。

然而，RC-IGBT还面临一些挑战。其中一个主要问题是正向输出特性的Snap-back（回跳）现象，导致器件在启动阶段呈现出负阻特性，影响其并联使用和轻载条件下的效率。关于这个问题，已有研究致力于改进芯片结构设计，以消除回跳现象，优化其动态性能。尽管如此，RC-IGBT在兼顾IGBT和FWD的静动态性能方面仍存在一定的技术难度。

总体来看，RC-IGBT通过集成设计实现了一系列优势，包括减小芯片尺寸、降低热阻、降低结温波动等，尤其是在电动汽车应用领域，富士等厂商已经将RC-IGBT作为重点器件进行推广应用。尽管存在Snap-back等问题，但针对这些问题的研究和优化仍在继续，使得RC-IGBT成为功率器件领域的一个重要发展方向。

变频器端子上字母gnd是什么

在电气控制中，电机的正转与反转是通过控制电路的通断来实现的。其中，将两个点短接即可实现电机的正转，这是因为在变频器中，“fwd”代表正转，而“rev”则代表反转。此外，“GND”通常与“com”相连，作为多功能输入的公用点。

变频器，即Variable-frequency Drive（VFD），是一种集成了变频技术和微电子技术的电力控制设备，专门用于控制交流电动机。它通过改变电机工作电源的频率来调节电机的转速和输出功率。变频器的核心组件包括整流器（将交流电转换为直流电）、滤波器、逆变器（将直流电转换回交流电）、制动单元、驱动单元以及检测单元和微处理单元等。

变频器通过内部IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的开断操作，灵活地调整输出电源的电压和频率，确保电机能够获得所需的电源电压。这种调节方式不仅有助于实现节能效果，还能实现精确的调速控制。此外，变频器还具备多种保护功能，如过流保护、过压保护和过载保护等，有效提升了电机的运行安全性和稳定性。

随着工业自动化程度的不断提升，变频器在各类工业设备中的应用日益广泛。它们不仅简化了电气控制系统的设计，提高了系统的灵活性和可靠性，还为实现高效、节能的生产过程提供了有力支持。

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