发布时间：2026-02-09 20:00:31 人气：
fgh60n60sfd的参数
FGH60N60SFD的参数信息如下：
型号：FGH60N60SFD
集电极到发射极电压（VCES）/漏源电压（VDS）：600V。这是指该器件能承受的最大电压值，超过此值可能会导致器件损坏。
栅极到发射极电压（VGES）：±20V。这是栅极和发射极之间允许的最大电压范围。
收集器电流（IC）/连续漏极电流（ID）：60A（@25℃），高温下需降额使用，100℃时降至约40A，也有说法为120A（但需注意，具体高温下的电流值可能因不同条件和应用而异，应参考具体数据手册或咨询制造商）。
二极管正向电流（IF）：60A。这是指二极管在正向导通时的最大电流。
最大功耗（PD）：378W。这是器件在正常工作条件下允许的最大功耗。
工作结温度（TJ）：−55 to +150℃。这是器件能正常工作的温度范围。
集电极截止电流（ICES）：250uA。这是指器件在截止状态下，集电极到发射极之间的漏电流。
G−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V。这是栅极和发射极之间的阈值电压，当栅极电压超过此值时，器件开始导通。
输入电容（Cies）：2820pF。这是栅极和发射极之间的输入电容，影响器件的开关速度和频率响应。
二极管正向电压（VFM）：2.6V。这是二极管在正向导通时的电压降。
二极管反向恢复时间（Trr）：47ns。这是二极管从反向导通到截止的转换时间，影响器件的开关速度和效率。
导通电阻（RDS(on)）：典型值80mΩ（VGS=10V）。这是器件在导通状态下的电阻，影响器件的功耗和效率。
栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）。这是栅极所需的电荷量，用于控制器件的开关状态。
结壳热阻（RθJC）：0.5℃/W。这是器件结温到外壳的热阻，影响器件的散热性能。
此外，FGH60N60SFD还具有高电流能力、低饱和电压、高输入阻抗、快速切换等特点，符合RoHS标准，不含铅，常应用于太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC等领域。
以阿塞米为代表的安森美FGH40N60SMD是不是一款车级IGBT？
这是汽车的IGBT
型号:FGH40N60SMD
二极管正向电流(中频):40a
功耗(ptot): 349瓦
储存温度和工作结温(Tstg，TJ):-55 ~ 175℃
集电极-发射极电压(VCES): 600伏
g？e阈值电压vge (th): 4.5v。
集电极截止电流(ices): 250ua。
g？泄漏电流(IGES): 400纳。
输入电容(CIES): 1880皮法
输出电容(COES): 180 pf
二极管直流电压(VFM): 2.3V
反向恢复时间(TRR): 36纳秒
FGH40N60SMD采用新型场阻IGBT技术。Anson的新系列场截止第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能。在这些领域，低传导和开关损耗至关重要。
FGH40N60SMD特性:
最大结温:TJ = 175°c。
正温度Co？高效且易于并行操作。
高电流能力
低饱和电压:IC = 40 A时，VCE (SAT) = 1.9 V(典型值)
高输入阻抗
快速开关:eoff = 6.5μ j/a。
加强参数分配
设备是Pb？无卤素/BFR，符合RoHS标准。
FGH40N60SMD的应用；
太阳能逆变器，焊机，UPS，PFC，电信，ESS。
强源信电子原厂渠道代理各系列MOS、IGBT、FRD；
英飞凌/英飞凌:IPW65R150CFDA，IPW65R110CFDA，IPW65R080CFDA，AIGW40N65H5，AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F，NVHL040N65S3F，FGH40N60SMD，ISL9R3060G2等。
ST/ STF: STW43NM60ND，STW78N65M5，STTH6010-Y，STTH30ST06-Y，STTH60RQ06-Y，STTH1506DPI，sth 15 rq 06-Y等。
IXYS/ Essex: DS145-16A等。
湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467
