逆变器290



新洁能（NCE）超结 (Super-Junction) 功率 MOSFET (四）

新洁能（NCE）超结（Super-Junction）功率MOSFET产品以Super Junction MOSFET III和第四代（Gen.4）系列为核心，覆盖500V至1050V电压范围，提供多款封装选择，并针对特定应用优化性能。 以下是具体分类及特点：

一、Super Junction MOSFET III系列

技术特点

通过优化器件结构设计和先进工艺制造，实现更快的开关速度、更低的导通损耗和极低的栅极电荷（Qg），显著降低功率损耗并提高系统效率。

具备更优的雪崩耐量和ESD能力，提升器件可靠性。

采用自主创新技术优化开关特性，改善EMI表现，为系统设计提供更大余量。

产品分类

普通系列：覆盖500V、600V、650V、700V、800V电压等级，适用于通用场景。

TF系列：针对全桥、半桥、LLC谐振开关等应用优化体二极管特性，提供500V和650V电压等级，降低反向恢复损耗。

封装选择提供TO-263、TO-252、TO-220、TO-220F、TO-247等多种封装，满足不同散热和安装需求。

二、第三代超结功率MOSFET（Gen.3）TF系列（650V）

典型型号NCE65TF360K、NCE65TF360、NCE65TF360F、NCE65TF360D、NCE65TF260、NCE65TF260F、NCE65TF260D、NCE65TF260T、NCE65TF180D、NCE65TF180、NCE65TF180T、NCE65TF180F、NCE65TF130T、NCE65TF130、NCE65TF130D、NCE65TF130F、NCE65TF099T、NCE65TF099D、NCE65TF099、NCE65TF099F、NCE65TF068T、NCE65TF041T。

应用场景适用于需要低反向恢复电荷（Qrr）和高效率的谐振转换电路，如LLC谐振开关电源。

三、第四代超结功率MOSFET（Gen.4）1. 500V~700V电压等级

典型型号NCE50N1K9K、NCE50N1K9I、NCE60N2K2K、NCE60N2K2I、NCE65N260K、NCE65N260、NCE65N260F、NCE65N260D、NCE65N260V、NCE65N190F、NCE65N190V、NCE65N190K、NCE65N190、NCE65N190D、NCE65N190T、NCE65N140F、NCE65N140、NCE65N140T、NCE70N360、NCE70N360F、NCE70N360D、NCE70N360K、NCE70N360I、NCE70N260F、NCE70N260K、NCE70N260D。

技术升级在第三代基础上进一步优化导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，提升高频应用效率。

2. 800V~1050V电压等级

典型型号NCE80N1K2I、NCE80N1K2K、NCE80N1K2R、NCE80N1K2、NCE80N1K2F、NCE80N900I、NCE80N900K、NCE80N900、NCE80N900F、NCE80N540I、NCE80N540K、NCE80N540、NCE80N540F、NCE80N290F、NCE80N290、NCE80N290D、NCE90N1K4K、NCE90N1K4I、NCE90N1K4R、NCE90N1K1I、NCE90N1K1K、NCE90N1K1、NCE90N1K1F、NCE90N600I、NCE90N600K、NCE90N600、NCE90N600F、NCE105N2K9F、NCE105N1K8F、NCE105N1K1F。

应用场景适用于高电压、高功率密度场景，如工业电机驱动、光伏逆变器及电动汽车充电模块。

四、封装与外观

封装类型提供TO-220、TO-247、TO-263等标准封装，支持表面贴装（SMD）和通孔插装（THT），适应自动化生产需求。

封装外观图

五、咨询与支持****

联系人：董先生

手机：133 9604 0435（微信同号）

QQ：3492270566

邮箱：dj77841941@outlook.com

新洁能超结功率MOSFET通过技术迭代和型号扩展，为中高电压应用提供了高性能、高可靠性的解决方案，支持客户在电源转换、电机驱动等领域的创新设计。

实测我家9万装的屋顶光伏电站的电磁辐射值，对一类人有健康风险

我家的屋顶光伏电站，成本为9万元，尽管发电功率在特定时间达到25Kwp，全天发电量却只能达到72.8度，表现平平。我使用电磁辐射检测仪，对电站的逆变器和线路进行测试。比较之下，我在手机充电时的辐射数据为工频磁场0微特，工频电场为290V/m，符合安全标准。

在阳光照射下，逆变器测试结果显示工频磁场为25.85微特，工频电场为0V/m，同样处于安全范围内。对于光伏发电输出线路的测试，工频磁场为9.65微特，工频电场为167V/m，所有数值均低于国家标准，辐射范围控制在20厘米内，确保安全。

经过测试，光伏电站各主要部件的电磁辐射均在安全值以内，辐射范围极小，日常活动几乎不受影响。然而，对于安装有心脏起搏器的个体，安装光伏电站存在潜在健康风险。根据美国国家电气制造商协会(NEMA)的建议，应保持工频电场强度不超过5000V/m，工频磁场强度不超过10微特的安全距离。

因此，对于安装心脏起搏器的人群，建议避免安装屋顶光伏电站，使用手机时应保持安全距离，特别是避免在充电时使用手机。持续记录和分享屋顶光伏电站的发电情况，为网友提供实时信息，有问必答，欢迎大家常来交流。

HP210NO6场效应管用什么型号代替？

HA210N06可以用DG210N06代换，两种场效应管参数完全一样。

HA210N06 是逆变器专用大场管 ，主要参数是210A/ 60V。

也可以用TFP290N08代换，主要参数是 290A 80V ，TO247 封装，也是逆变器常用大功率场效应管。

也可以用更大参数的MXP8835AL 代换，主要参数是350A/80V 。

IRFP4368 也是大功率逆变器MOS管 ，主要参数是350A/75V。

禾迈股份在科创板上市：市值达到290亿元，预计全年利润翻倍增长

禾迈股份于12月20日在上交所科创板上市，发行价557.8元/股，收盘价725.01元/股，总市值达290亿元，预计全年利润同比增长73%至102%。

一、上市概况与股价表现发行与开盘情况：禾迈股份（SH:688032）发行价为557.8元/股，刷新A股发行价纪录，被称为“最贵新股”。开盘价633.66元/股，收盘价725.01元/股，单日涨幅29.98%。市值与收益：按收盘价计算，总市值达290亿元。中一签（500股）可赚8.36万元（不考虑手续费）。二、公司背景与主营业务公司简介：禾迈股份全称为杭州禾迈电力电子股份有限公司，成立于2012年，是一家以光伏逆变器等电力变换设备及电气成套设备为核心业务的高新技术企业。主要产品：

微型逆变器及监控设备

分布式光伏发电系统

模块化逆变器及其他电力变换设备

电气成套设备及元器件

市场地位：在微型逆变器细分领域具备技术和市场优势，产品应用于全球多个国家和地区。三、技术研发与专利布局研发投入：2018-2020年研发费用合计6938.05万元，占营业收入比例约5.50%。截至2021年6月末，研发与技术人员157人，占总人数27.50%。核心技术：形成逆变器、变压器等领域核心技术，拥有发明专利17项。总经理杨波曾获2016年国家自然科学奖二等奖。专利申请：禾迈股份及其关联公司共有120余件专利申请，部分电路设计及软件算法以技术机密形式保存未申请专利。四、财务表现与利润增长历史营收与净利润：

2018年：营收3.07亿元，净利润1581.59万元

2019年：营收4.60亿元，净利润8054.86万元

2020年：营收4.95亿元，净利润1.04亿元

2021年业绩预告：

归属于母公司股东的净利润1.8亿至2.1亿元，同比增长73%至102%

扣非净利润1.75亿至2.05亿元，同比增长77%至108%

增长原因：销售拓展及下游需求增加推动收入增长，产品保持良好盈利水平。五、股权结构与控股股东发行前股权：

控股股东杭开集团直接持股41.32%

实际控制人邵建雄通过杭开集团和德石投资合计控制42.15%股权，担任董事长及法定代表人

IPO后股权：

杭开集团持股30.99%，德石投资持股0.63%

信果投资持股18.03%，港智投资持股9.38%，杨波持股5.63%

其余股东持股比例均未超过5%

六、行业前景与市场优势光伏行业趋势：全球光伏装机量持续增长，分布式光伏市场快速扩张，微型逆变器需求提升。竞争优势：

技术领先：在微型逆变器领域具备高效能、高可靠性技术

市场认可：产品已进入欧美等高端市场，品牌影响力增强

政策支持：符合国家“双碳”目标，享受新能源产业政策红利

七、风险提示市场竞争加剧：光伏逆变器行业参与者众多，价格战可能压缩利润空间。技术迭代风险：若未能持续创新，可能面临技术落后风险。原材料价格波动：芯片、电子元器件等成本上涨可能影响盈利能力。

总结：禾迈股份凭借技术优势和市场需求增长，在科创板上市后市值突破290亿元，预计全年利润翻倍。其微型逆变器业务有望持续受益行业红利，但需关注竞争加剧及技术迭代风险。

硬件过流点怎么选？

硬件过流点的选取需结合实际工况、器件特性及测试验证，核心原则是避免误触发保护的同时确保器件安全，通常选取额定电流的3-5倍作为过流点，具体需根据负载类型、过载需求及器件SOA（安全工作区）综合确定。

一、过流点选取的核心原则避免误保护：过流点过小会导致正常工作（如电机启动、瞬态加速）时触发保护，降低设备可用性。防止器件损坏：过流点过大会使保护延迟，导致MOSFET/IGBT等开关器件因过流失效（如炸机、短路损坏）。平衡性能与安全：需根据实际工况（如负载类型、过载需求）设定合理阈值，通常选取额定电流的3-5倍。二、不同场景下的过流点选取方法1. 工业级变频器（以400A IGBT为例）额定电流与过载需求：

逆变器输出电机额定线电流有效值150~200A，幅值220~290A。

要求60秒承受1.5倍过载（225~300A），3秒承受2倍过载（300~400A）。

瞬态峰值电流可达440~600A（2倍过载×幅值）。

过流点设定：

经验值为4倍额定电流（如400A×4=1600A，但需结合实际工况调整）。

实际案例中，过流点选在700A左右（考虑瞬态过载不误触发保护）。

图：MOSFET电流测试数据（壳温影响实际负载能力）2. 低压控制器（以24V/300W为例）额定电流与瞬态需求：

线电流有效值约12A，瞬态加速时最大Iq幅值限制在30A。

瞬态相电流幅值可能超过30A（如电机启动阶段）。

过流点设定：

在30A基础上放大至40~50A（通过实际测试确保MOS不损坏且不影响控制器工作）。

三、开关器件选型对过流点的影响1. 关键选型参数温升测试：器件散热能力直接决定过流点上限（如密闭空间需选低内阻器件）。EMC测试：开关速度影响辐射和温升（需平衡效率与干扰）。短路保护：不同器件（MOSFET/IGBT/SiC/GaN）的过流承受极限差异显著。2. 封装与散热差异封装类型：

TOLL封装SOA（安全工作区）和散热能力优于PQFN-5X6（但价格更高）。

相同内阻下，不同封装（如FR4 vs 铝基板）的短路耐受能力不同。

实际案例：

24V/300W机械臂（密闭空间，环温60°C）：选7mΩ MOS（低内阻降发热）。

24V/300W风机水泵（散热好）：可用12mΩ MOSFET。

图：不同Vds和电流下的SOA范围（超出范围会导致器件失效）四、影响过流点的关键因素1. 器件标注电流的局限性测试条件与实际差异：

厂商标注的电流通常在壳温25°C或100°C下测试（散热器远大于实际产品尺寸）。

实际持续负载电流需打折（如贴片封装靠FR4散热时，持续电流不超过标注值的50%）。

2. 结温与SOA限制结温影响：

相同瞬态电流下，结温越高，器件失效风险越大（需通过热仿真确定安全阈值）。

SOA范围：

不同Vds和电流下，器件耐受时间不同（超出SOA范围会导致失效）。

例如：某IGBT在Vds=600V、电流=100A时，耐受时间仅1ms。

图：脉冲式流过Drain的电流与过流点关系五、实际设计中的注意事项测试验证：

通过温升测试、短路测试验证过流点合理性（如连续运行1小时后器件温度≤125°C）。

冗余设计：

在理论值基础上增加20%裕量（如计算过流点为500A，实际设为600A）。

动态调整：

根据负载类型（如恒转矩/恒功率）动态调整过流点（如电机堵转时降低阈值）。

总结：硬件过流点的选取需综合工况、器件特性及测试验证，核心是通过经验公式（如3-5倍额定电流）结合SOA、温升等参数细化设计，最终通过实际测试确保安全与性能平衡。

模拟芯片SG3525：PWM驱动设计

SG3525 PWM驱动设计

SG3525是一款多功能且广泛应用的PWM控制器，适用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器、家用UPS系统、太阳能逆变器、电源、电池充电器等多种应用。以下是基于SG3525的PWM驱动设计的详细解答。

一、SG3525引脚功能及配置

引脚1（反相输入）和引脚2（非反相输入）：

这两个引脚是板载误差放大器的输入，用于控制与PWM关联的“反馈”的占空比的增加或减少。

当反相输入（引脚1）电压大于非反相输入（引脚2）电压时，占空比减小；反之，占空比增加。

通过将电路输出经过分压接到引脚1，将引脚2接到VREF，可以实现输出稳压控制。

引脚5、6、7：

引脚5接电容CT再接地，引脚6接电阻RT再接地，引脚7和引脚5之间接电阻RD用于电容CT放电，决定死区时间。

PWM的频率取决于定时电容CT和定时电阻RT。

频率公式为：f = 1.1 / (RT * CT + RD * 0.7 * CT)，其中RT和RD以Ω为单位，CT以F为单位，f以Hz为单位。

引脚8：

软起动功能，连接在引脚8和地之间的电容提供软启动功能。电容越大，软启动时间越长。

引脚16：

VREF参考电压，SG3525包含一个额定电压为+5.1V的内部电压参考模块，用于向误差放大器提供参考电压。

引脚15：

VCC芯片供电，SG3525的供电电压，必须在8V至35V范围内。

引脚13：

VC驱动电压，SG3525驱动器级的电源电压，连接到输出图腾柱级中的NPN晶体管的集电极。VC必须在4.5V至35V范围内。

引脚12：

芯片的地，和驱动信号共地。

引脚11、14：

驱动信号输出，SG3525内部驱动器级的输出，可用于直接驱动MOSFET和IGBT。

引脚10：

高电平时快速关断，通常接低电平。当此引脚为高电平时，PWM锁存器立即设置，为输出提供最快的关机信号。

引脚9：

补偿，和引脚1接一起，用于补偿反馈信号。

二、SG3525 PWM驱动电路设计

以下是一个以50kHz运行的SG3525 PWM驱动电路的设计示例：

电源和接地：

VCC和VC连接到电源，并接地。在电源引脚上添加一个大容量电容器和一个去耦电容器，去耦电容器应尽可能靠近SG3525。

定时元件：

在引脚5和地之间连接电容CT（1nF），在引脚6和地之间连接电阻RT（15kΩ），在引脚5和7之间连接电阻RD（22Ω）。

根据频率公式计算，振荡器频率为94.6kHz，开关频率为47.3kHz，接近目标频率50kHz。

软起动：

在引脚8和地之间连接一个1µF的电容，提供软启动功能。

关机控制：

引脚10通过上拉电阻上拉至VREF，初始时PWM被禁用。当开关打开时，引脚10接地，PWM被启用。

误差放大器反馈：

引脚2连接至VREF（+5.1V），引脚1连接至输出的反馈分压信号。通过56kΩ和1kΩ的分压器，将输出电压分压后接入引脚1。

当引脚1电压等于5.1V时，输出电压为290.7V，接近目标电压290V。

反馈补偿：

在引脚1和9之间连接电阻和电容的并联组合，提供反馈补偿。

驱动输出：

引脚11和14驱动MOSFET，栅极上串联有电阻，用于限制栅极电流。

三、结论

通过以上设计，我们构建了一个基于SG3525的PWM驱动电路，该电路能够以接近50kHz的频率运行，并输出稳定的290V直流电压。SG3525的灵活性和多功能性使其成为各种电源控制和转换器电路中的理想选择。

这些展示了SG3525的引脚布局、频率计算公式以及一个具体的电路图，有助于更直观地理解SG3525 PWM驱动设计。

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