fet逆变器



EPC 推出紧凑型 100V GaN FET

EPC 推出了紧凑型 100V GaN FET，型号为 EPC2071

EPC2071 是高效电源转换 (EPC) 公司推出的一款紧凑型、高性能的 100V GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET）。这款产品的推出，进一步丰富了低压、现成 GaN 晶体管的选择范围，并为空间受限的应用提供了高性能的解决方案。

一、产品特点

低导通电阻：EPC2071 的典型导通电阻为 1.7 mΩ，在 100V 的额定电压下表现出色。高频操作：由于较低的栅极电荷（QG）和零反向恢复损耗，EPC2071 能够在 10.2 mm2 的微小占位面积内实现 1 MHz 及以上的高频操作，从而提高了功率密度。高效率：高频操作和低损耗特性使得 EPC2071 在各种应用中都能实现高效率。小尺寸：与相同 RDS(on) 的硅 MOSFET 相比，EPC2071 的尺寸仅为硅器件的三分之一，QG 是 MOSFET 的四分之一，这使得它在空间受限的应用中具有显著优势。兼容性与改进：EPC2071 与 EPC 之前的第 4 代产品系列（如 EPC2021、EPC2022、EPC2206）兼容。与上一代 100V GaN FET 相比，EPC2071 在保持相同导通电阻的同时，尺寸减小了 26%，实现了面积 x RDS(on) 的改进。

二、应用领域

高功率密度应用：EPC2071 适用于对高功率密度性能有苛刻要求的应用，如用于新服务器和人工智能的 48V - 54V 输入 DC-DC 转换器。BLDC 电机驱动器：包括电动自行车、电动滑板车、机器人、无人机和电动工具等。EPC2071 的小尺寸和低栅极电荷使得它成为这些应用的理想选择，可以优化电机和逆变器效率并降低噪音。电信和服务器电源：EPC2071 的高性能和成本效益使其成为电信和服务器电源的理想解决方案。太阳能应用：在太阳能逆变器中，EPC2071 的高频操作和低损耗特性有助于提高系统的整体效率。

三、性能优势

提高效率和功率密度：与上一代 100V GaN FET 相比，EPC2071 具有更高的性能和成本效益，使设计人员能够经济地提高效率和功率密度。降低成本：EPC2071 的成本效益使得它成为许多应用的理想选择，特别是在对成本敏感的市场中。现货供应：与一些需要长时间等待的定制 GaN 器件不同，EPC2071 是现成可用的，这有助于缩短产品开发周期并加速上市时间。

四、参考设计

EPC 还提供了 EPC9174 参考设计板，这是一个 1.2 kW、48V 输入至 12V 输出的 LLC 转换器。该参考设计板采用了 EPC2071 作为初级侧全桥的开关器件。在 22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm 的小尺寸内，该转换器实现了 1 MHz 的开关频率和 1.2 kW 的功率输出。峰值效率在 550W 时为 97.3%，在 12V 时的满载效率为 96.3%，提供了 100A 的输出电流。这一参考设计展示了 EPC2071 在高性能、高功率密度应用中的实际应用效果。

综上所述，EPC2071 是一款高性能、紧凑型的 100V GaN FET，适用于各种高功率密度和空间受限的应用。它的推出将进一步推动 GaN 技术在电源转换和电机驱动等领域的应用和发展。

什么是MOSFET

MOSFET，全称“金属氧化物半导体场效应管”，在减少寄生二极管上的续流电流损耗方面展现出了显著优势。作为逆变元件，MOSFET凭借其导通阻抗低、电流可双向流动的特性，能够有效降低损耗，提升逆变器效率，尤其在续流电流较大的情况下，效果更为突出。

MOSFET作为FET的一种，具备多种类型，包括增强型或耗尽型，以及P沟道或N沟道。然而，在实际应用中，我们主要接触到的是增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。这两种类型的MOSFET在电路设计中的应用广泛，能够满足不同场景下的需求。

总的来说，MOSFET以其独特的性能优势，在电力电子领域扮演着重要角色。无论是作为逆变元件还是用于其他场合，MOSFET都展现出了其卓越的性能和广泛的应用前景。随着技术的不断进步，MOSFET在电路设计和电子系统中的应用将会更加广泛和深入。

f et是什么意思？

FET是什么意思？ FET是场效应晶体管的缩写，是一种半导体器件。它通过控制栅极电压来控制电路中导通的电流，有着快速开关速度、低功耗、高输入电阻等优点，被广泛应用于各种电子设备中。

FET的种类及应用 FET主要有三种类型：JFET、MOSFET和IGBT。其中，JFET可以用于低噪声放大器、压控振荡器、压控滤波等领域；MOSFET则比JFET更加常用，广泛应用于逆变器、电源管理、驱动器等电子设备中；IGBT主要用于高功率控制电路中，如变频器、电动机驱动器等。

FET的发展 FET随着半导体技术的不断发展，也在不断更新换代。随着IC制造工艺的进步，FET出现了更加高性能的改进型，如ESFET、TJFET、HEMT等。这些新型FET的应用不断扩大，为电子设备的发展带来了无限可能。

EPC氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人

EPC氮化镓器件通过其逆变器参考设计（如EPC9193和EPC9193HC），为电动自行车、无人机和机器人提供了具成本效益的电机系统解决方案，实现更高性能、更长续航、更高精度和更大扭矩，同时降低系统总成本。

EPC9193与EPC9193HC的核心特性

宽输入电压范围：支持14V~65V直流输入，适配多种电源场景（如电动自行车电池、无人机电源系统）。

双版本设计：

标准版（EPC9193）：每个开关位置使用单个EPC2619 eGaN?FET，最大输出电流30ARMS，适用于常规负载需求。

高电流版（EPC9193HC）：每个开关位置并联两个FET，最大输出电流60Apk（42ARMS），满足高功率需求（如重型无人机、工业机器人）。

集成关键功能电路：

栅极驱动器、辅助电源轨、电压/温度感应、精确电流感应及保护功能（如过流、过温保护）。

电路板尺寸仅130mm×100mm（含连接器），便于紧凑型设备集成。

氮化镓器件的技术优势

降低失真与噪声：减少电机驱动中的谐波失真，显著降低运行噪声（适用于无人机低噪音飞行或电动自行车静音设计）。

减少磁损耗：通过降低电流纹波，优化电机磁路效率，延长续航里程（例如电动自行车单次充电行驶距离提升）。

提高扭矩精度：减少扭矩波动，提升电机控制精度（如机器人关节的精准定位或无人机云台的稳定控制）。

高功率密度与轻量化：微型逆变器可集成至电机外壳，减少外部组件体积，降低整体重量（无人机有效载荷提升或机器人移动灵活性增强）。

低EMI设计：集成化布局减少电磁干扰，简化系统级EMI滤波设计，降低额外成本。

成本效益的实现路径

替代硅基MOSFET：氮化镓器件在高频、高效场景下性能更优，且单位功率成本更低（EPC首席执行官Alex Lidow指出，其逆变器成本低于传统硅基方案）。

缩短设计周期：EPC提供演示套件（含逆变器板与控制器板接口），支持快速原型开发，减少研发资源投入。

系统级优化：通过提高电机效率（如减少能量损耗），间接降低电池容量需求，进一步压缩成本（例如电动自行车电池成本占比下降）。

应用场景适配性

电动自行车：轻量化设计延长续航，低噪声提升骑行体验，高扭矩适应爬坡等复杂路况。

无人机：高功率密度支持更大有效载荷，低EMI保障通信稳定性，精准控制提升航拍或物流效率。

机器人：高扭矩精度优化运动控制，紧凑尺寸适配关节或移动底盘，长续航支持长时间任务执行。

行业评价与支持

EPC首席执行官Alex Lidow强调：“氮化镓逆变器使电机系统更小、更轻、更安静，同时提升扭矩、续航和精度，成本低于硅基方案。”

用户可通过“大大通”平台获取技术文档、提问或评论，进一步了解设计细节与应用案例。

总结：EPC氮化镓器件通过EPC9193系列参考设计，在性能、成本、集成度之间取得平衡，为电动自行车、无人机和机器人提供了高效、可靠的电机驱动解决方案，推动相关行业向轻量化、高精度和低成本方向演进。

轧钢fet是什么意思？

轧钢FET是一种特殊的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），主要用于控制高电流和高电压的应用。FET（场效应管）可以看做是一种控制电流的开关，通过改变栅极电压来控制源极和栅极之间的电流，从而起到控制电路的作用。轧钢FET主要用于工业领域，例如冶金、钢铁等行业，常用于高功率马达调速器、电源开关、半导体制冷器等领域。

轧钢FET具有低电流驱动、低开启电阻和高电压能力等特点。可用于高温、高压和高电流环境下的工业控制设备。轧钢FET可以广泛应用于数控机床、电动汽车、风力发电、太阳能光伏逆变器及逆变器等领域。另外，它还具有高频特性和快开关速度的优势，在高速电路和频率调制领域中应用广泛。

随着电力产业快速发展，轧钢FET的需求将不断增加，在石化、航天、冶金、制造等众多领域都将得到广泛应用。未来，其中一些领域的发展将会持续提高对高功率场效应管的需求，尤其是针对工业和汽车市场的需求。此外，轧钢FET将与其他半导体器件相结合，在物联网技术、5G、人工智能等新兴领域中发挥着越来越重要的作用。

Transphorm的GaN为DAH Solar Co., Ltd.的全球首个集成微型逆变器光伏系统提供动力

Transphorm的GaN（氮化镓）技术为DAH Solar Co., Ltd.的全球首个集成微型逆变器光伏系统提供了核心动力，助力其实现更高效、更紧凑、更可靠的设计，并推动可再生能源领域的技术突破。

一、Transphorm GaN技术的核心优势

性能提升

Transphorm的GaN FET（场效应晶体管）使DAH Solar的太阳能电池板系统体积更小、重量更轻，同时可靠性显著提高。

通过降低能耗，系统总发电量提升，峰值效率达97.16%-97.55%（型号功率输出800W-1500W），超越传统硅基解决方案。

GaN设备支持更高开关频率和功率密度，优化了DC-DC和DC-AC功率级架构。

设计效率

采用PQFN88高性能封装的150毫欧和70毫欧GaN FET，可与常用栅极驱动器直接配对，缩短DAH Solar的设计周期。

常断型SuperGaN?平台通过共源共栅d模式配置，简化了电路设计，同时保持高易驾驭性和可靠性。

认证与可靠性

Transphorm的GaN FET已通过JEDEC（电子元件工业联合会）和AEC-Q01（汽车电子委员会）认证，适用于从消费电子到工业级、电动汽车等严苛环境。

技术可承受数十年运行需求，降低功率损耗和热应力，延长系统寿命。

二、DAH Solar光伏系统的创新应用

SolarUnit产品线技术细节

型号与效率：提供800W（97.16%）、920W（97.2%）、1500W（97.55%）三种型号，满足不同场景需求。

集成架构：在DC-DC和DC-AC功率级中采用Transphorm的GaN FET，实现高效电能转换。

封装优势：PQFN88封装支持标准化设计流程，减少客户开发成本。

市场定位与价值

DAH Solar通过GaN技术巩固了其在可再生能源市场的创新地位，产品覆盖高效光伏组件、储能系统及集成太阳能解决方案。

全球首个集成微型逆变器系统的推出，标志着光伏行业向更高集成度和智能化迈进。

三、Transphorm的技术领导力与行业影响

广泛的产品组合

支持45瓦至10千瓦以上电源转换需求，涵盖650V、900V及开发中的1200V设备。

拥有1000余项自有或授权专利，为功率GaN领域知识产权组合最丰富的公司之一。

垂直整合模式

从设计、制造到应用支持的全链条创新，确保技术迭代与客户需求同步。

制造工厂位于美国加利福尼亚州戈利塔和日本会津，保障供应链稳定性。

市场认可与生态合作

与DAH Solar等市场领导者合作，验证了GaN技术在高功率应用中的价值。

技术突破推动电力电子器件突破硅限制，实现效率超99%、功率密度提升50%、系统成本降低20%。

四、行业前景与GaN市场潜力

可再生能源需求驱动

全球GaN在可再生能源市场的总可用市场（TAM）已超5亿美元，预计未来随光伏、储能系统普及进一步增长。

GaN的高效特性与微型逆变器趋势契合，助力分布式能源系统普及。

技术标杆与竞争壁垒

Transphorm的SuperGaN平台通过物理性能优化（如易设计性、可靠性）建立竞争优势。

持续研发1200V设备，拓展电动汽车、工业UPS等高端市场。

五、双方合作的意义DAH Solar视角：通过采用Transphorm的GaN技术，强化了其“创新驱动”的品牌形象，并加速了光伏系统的小型化、智能化进程。Transphorm视角：与DAH Solar的合作验证了GaN在可再生能源领域的商业化潜力，进一步巩固其作为“新一代电力系统核心供应商”的地位。行业影响：此次合作树立了GaN功率半导体在光伏领域的应用标杆，为其他高功率场景（如数据中心、5G基站）提供了可复制的技术路径。

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