发布时间：2025-08-14 00:10:09 人气：
安森美半导体的器件型号中,带G的跟不带的有什么区别?如MUR160G 和...
安森美半导体的器件型号中，带G的通常表示该器件具有更快的恢复特性，而不带G的则可能是标准恢复速度或超快恢复速度的器件。以下是具体解释：
带G的器件：
更快的恢复速度：型号中带G的器件，如MUR160G，通常表示该二极管具有更快的恢复速度。在高频或开关应用中，更快的恢复速度可以减少反向恢复时间和反向恢复电荷，从而提高电路效率和减少功率损耗。
应用场景：这类器件适用于需要快速开关和高频操作的应用，如开关电源、逆变器、电机驱动等。
不带G的器件：
标准或超快恢复速度：型号中不带G的器件，可能具有标准恢复速度或超快恢复速度，但不一定是最快的恢复速度。例如，MUR160是一款超快恢复二极管，但其恢复速度可能不如带G的同类器件。
应用场景：这类器件适用于对恢复速度要求不是特别高的应用，或者在成本、性能和可靠性之间需要权衡的应用场景。
总结：在选择安森美半导体的器件时，型号中是否带G可以作为判断其恢复速度的一个重要依据。带G的器件通常具有更快的恢复速度，适用于高频或开关应用；而不带G的器件则可能具有标准或超快恢复速度，适用于对恢复速度要求不是特别高的应用。在实际应用中，应根据具体需求和电路条件来选择合适的器件型号。
以阿塞米为代表的安森美FGH40N60SMD是不是一款车级IGBT？
这是汽车的IGBT
型号:FGH40N60SMD
二极管正向电流(中频):40a
功耗(ptot): 349瓦
储存温度和工作结温(Tstg，TJ):-55 ~ 175℃
集电极-发射极电压(VCES): 600伏
g？e阈值电压vge (th): 4.5v。
集电极截止电流(ices): 250ua。
g？泄漏电流(IGES): 400纳。
输入电容(CIES): 1880皮法
输出电容(COES): 180 pf
二极管直流电压(VFM): 2.3V
反向恢复时间(TRR): 36纳秒
FGH40N60SMD采用新型场阻IGBT技术。Anson的新系列场截止第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能。在这些领域，低传导和开关损耗至关重要。
FGH40N60SMD特性:
最大结温:TJ = 175°c。
正温度Co？高效且易于并行操作。
高电流能力
低饱和电压:IC = 40 A时，VCE (SAT) = 1.9 V(典型值)
高输入阻抗
快速开关:eoff = 6.5μ j/a。
加强参数分配
设备是Pb？无卤素/BFR，符合RoHS标准。
FGH40N60SMD的应用；
太阳能逆变器，焊机，UPS，PFC，电信，ESS。
强源信电子原厂渠道代理各系列MOS、IGBT、FRD；
英飞凌/英飞凌:IPW65R150CFDA，IPW65R110CFDA，IPW65R080CFDA，AIGW40N65H5，AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F，NVHL040N65S3F，FGH40N60SMD，ISL9R3060G2等。
ST/ STF: STW43NM60ND，STW78N65M5，STTH6010-Y，STTH30ST06-Y，STTH60RQ06-Y，STTH1506DPI，sth 15 rq 06-Y等。
IXYS/ Essex: DS145-16A等。
湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467
