三电平逆变器外文资料

什么是三相三开关三电平逆变器

问题一：三电平是什么意思？

三电平指的是三种电平状态：高电平V/2、零电平0V、低电平-V/2。这实质上是开关阀值的问题，为输出提供了三种电平状态。三电平控制技术主要应用于变频器中，通过钳位电路解决了功率器件串联问题，并使得相电压输出具有三个电平。三电平逆变器主回路结构简单，虽然为电压源型结构，但易于实现能量回馈。然而，在国内市场中，三电平逆变器面临的最大挑战是电压问题，其最大输出电压难以达到6KV，因此常常需要采取变通方法，如改变电机电压或在输出侧添加升压变压器。这一弱点限制了其广泛应用。这也是该技术不太为人所知的原因之一。

问题二：多电平比如三电平名称的含义？

电平是指逆变直流侧的直流电压等级。三电平指的是通过开关管的作用产生的三个电压平台，这些平台通过分割形成正弦波。例如，相电压是三电平，而线电压则是五电平。

问题三：三相三开关三电平整流是什么意思？

三相三开关三电平整流是指一种特定的电力电子装置，其主回路结构环节少，采用钳位电路来解决两只功率器件的串联问题，并使得相电压输出具有三个电平。这种结构易于实现能量回馈，但在电压方面存在限制，需要采取变通方法以适应不同应用需求。

问题四：什么是三电平结构？

三电平结构是指在电力电子装置中，通过特定的电路设计实现三种不同的电平状态。这种结构主要应用于变频器中，可以提供三个电平输出。三电平逆变器的主回路结构简单，易于实现能量回馈。然而，该技术在国内市场面临的最大挑战是电压问题，其最大输出电压难以达到6KV，因此常常需要采取变通方法，如改变电机电压或在输出侧添加升压变压器。

问题五：什么是单相三电平逆变器？

单相三电平逆变器是一种电力电子装置，具有输出容量大、输出电压高、电流谐波含量小、控制方法成熟简单等优点，在高压调速领域得到了广泛应用。正弦脉宽调制（SPWM）是其核心技术之一。本文介绍了单相三电平逆变器的结构和基本原理，并分析了SPWM控制法对三电平逆变器的控制。

问题六：三电平变频器的输出波形是什么样子？

三电平变频器的输出波形是指其输出的电压或电流波形。下图是3300V永磁风力发电机用三电平变流器的电压波形和电流波形，仅供参考。

问题七：三电平逆变器较二电平逆变器的优势是什么？

三电平逆变器相较于二电平逆变器的优势主要在于谐波小，输出不需要很大的滤波器。在传输距离较远的情况下，可以有很小的电压损失，对后期负载，如电机的冲击比较小，不需要用防护等级高的点击。理论上，三电平逆变器与二电平逆变器肯定有区别，但具体区别可以通过查阅相关课本或资料了解。

问题八：三电平PWM变频器具有哪些优点？

三电平PWM变频器具有提升电压应用、输出波形好、波形好、模块耐压低等优点。在通信、电子等领域，电平是用来表示输出/输入信号的比较，用电平来表示会有极大的便利性。介绍了西门子采用三电平高压IGBT开发的中压变频器SIMOVERTMV、有源前端技术及应用。

问题九：三电平电路的工作原理是什么？

三电平电路的工作原理涉及到开关管的开通和关闭，以及电压的钳位和分割。例如，TL整流器主电路由8个开关管组成，通过不同的状态转换，可以产生不同的电平，从而实现交流侧电压的调控。具体的电路和工作原理可以通过查阅相关资料或课本了解。

三电平SVPWM学习

三电平SVPWM原理与性能优化

三电平SVPWM是一种逆变器技术，其相较于两电平SVPWM，具有更低的开关应力、更小的开关损耗、以及更接近正弦波的输出电压波形，主要得益于其调制算法的优化。模型设计与实现过程可关注公众号“浅谈电机控制”，留下邮箱，模型将发送至邮箱。

三电平逆变器结构与原理

三电平逆变器由3个桥臂组成，每个桥臂包含4个开关管，并带有中性线，通过不同开关组合实现三电平电压输出。具体原理图如图1所示。三电平每相电压有3个电平，通过27个电压矢量组合实现，每相电压同时为零时，输出电压矢量为零。

三电平SVPWM核心技术介绍

三电平SVPWM的核心在于扇区判断、区域判断与时间状态分配。在每个扇区内，根据参考电压矢量位置，划分出小扇区，判断其所在区域。选择短矢量作为每个采样周期的起始矢量，确保在电压矢量变化时，只有一对桥臂动作，避免反向转矩和脉动，实现高效控制。

三电平与两电平SVPWM波形对比

三电平SVPWM相较于两电平SVPWM，不仅在波形接近度、电压利用率、谐波含量上表现出优势，而且在开关应力和开关损耗上显著降低。三电平电路具有高效率、低EMI、适用于大容量高电压场合等优点，但同时存在开关器件数量增加、控制复杂性和电位不平衡问题。

总结

三电平SVPWM技术提供了在电机直接转矩控制中的高效性能，通过减少开关应力、降低损耗、优化输出波形等手段，实现对电机的精准控制。在应用中需权衡其优点与挑战，例如采用二极管钳位式作为主电路拓扑结构，以实现三电平逆变器的高效稳定运行。

单相三电平逆变器工作原理

单相三电平逆变器是一种能将直流电能转换为交流电能的电力电子装置，其工作原理基于特定的电路结构和开关控制策略。

电路结构：它主要由直流侧电容、功率开关器件以及滤波电路等构成。直流侧电容将输入的直流电压进行分压，形成三个电平，即正电平、零电平、负电平。

开关控制：通过对功率开关器件的有序控制来实现电平的切换。当需要输出正电压时，控制相应的开关器件导通，使电流从直流侧正端经开关器件流向负载；当要输出零电压时，特定的开关组合动作，让负载与直流侧断开或处于等电位状态；输出负电压时，则控制另一组开关导通，电流从负载流向直流侧负端 。

输出波形合成：通过对不同电平的快速切换和组合，在负载上合成接近正弦波的交流电压。再经过滤波电路对输出波形进一步处理，减少谐波含量，使输出的交流电能质量更高，以满足不同负载的用电需求。

NPC三电平逆变器SVPWM调制基本原理

本文详细阐述了NPC三电平逆变器SVPWM调制的基本原理。首先介绍NPC三电平逆变器的结构，每相桥臂能够输出三种电压状态，合成基本电压矢量。

接着，分析基本电压矢量的分类与作用，指出零矢量、大矢量不引起中点电压偏移，而小矢量对中点电压偏移有显著影响，成对小矢量作用效果相反。

随后，讨论开关序列分配策略，将基本电压矢量所在平面分为六个大扇区，并进一步细分为六个小扇区，以减小小矢量对中点电压偏移的影响。同时，提出编码规则以最小化开关次数，优化调制过程。

接着，阐述开关时间计算方法，遵循伏秒平衡原理，以第一大扇区为参考，计算各小扇区的开关时间。

在调制信号生成部分，类比两电平SVPWM调制波与三角载波的比较方式，通过设置三角波幅值与调制波比较，生成PWM信号。

最后，介绍扇区判断方法，与两电平SVPWM调制类似。通过参考电压矢量旋转角度判断大扇区类型，并根据指定分界线判断小扇区。

文章还补充了两种实现方式：三电平SPWM调制和双载波SVPWM调制。其中，三电平SPWM调制通过比较调制信号与两种三角载波，实现桥臂输出状态的确定。双载波SVPWM调制则通过比较调制信号与上、下三角载波，直接得到桥臂输出状态。

三电平电路的介绍

三电平逆变器：1拓扑为在两个电力电子开关器件串联的基础上，中性点加一对箝位二极管的三电平逆变器，又称为中性点箝位型（Neutral Point Clamped，简称NPC）三电平逆变器，所示即为三相三电平NPC逆变器拓扑结构，由两个直流分压电容C1=C2、三相逆变电路组成。负载为三相感应电机。

PLECS 应用示例（77）：三相T型逆变器（Three-Phase T-Type Inverter）

本文展示了一款用于并网应用的三相T型逆变器，采用Wolfspeed SiC MOSFET。图1显示了电路图，演示了如何选择器件、控制器参数和调制方法以影响逆变器的热性能。模型研究了逆变器在不同运行条件下的性能，确保系统安全高效运行。

T型逆变器类似于三电平中点箝位（NPC）逆变器，提供改进的谐波性能，同时减少零件数量和外部开关器件的导通损耗。本示例展示了一个22 kVA额定功率的T型逆变器，将800 V直流母线转换为三相60 Hz、480 V（线路，rms）配电。

模型配置了三种不同开关类型的SiC MOSFET，分别具有不同的额定电压、额定电流和RdsOn值，用于评估其热性能。每个器件都被建模为具有定制掩模配置的子系统，包括MOSFET和体二极管，以及热模型。组件掩模参数包括导通电阻和体二极管正向电压，以确定电流流过路径，影响开关损耗。

控制器采用解耦的同步参考系电流控制器，用于生成dq电压参考，通过独立的PI调节器将逆变器输出电流调节至设定点。PI控制器包括去耦前馈项，使用简单的同步参考帧锁相环（PLL）测量电压参考相位角，然后转换为三相电压参考，馈送到调制器，用户可选择不同的调制方案。

调制器组件实现不同的调制方法，如SPWM、SVPWM、THIPWM、THZSPWM和DPWM，以比较其对半导体损耗的影响。例如，DPWM在单位功率因数下的损耗最低，但当功率因数角接近0.5时，SPWM和SVPWM方法显示出较高的损耗。

通过操纵控制器设置、调制方案、开关频率、死区时间、控制器增益以及分析设备类型、并联设备数量和外部冷却或散热器的影响，可以试验控制器设置并分析系统级电气规格。参数扫描是确定设计决策如何在一系列操作条件下影响转换器性能的有效方法。

该模型突出显示了PLECS的热建模能力，并可以作为研究控制器设计对其他拓扑结构效率影响的例子。

PLECS应用范例（77）：三相T型逆变器（Three-Phase T-Type Inverter）

本演示介绍了一种三相T型逆变器，用于部署Wolfspeed SiC MOSFET的并网应用。T型逆变器类似于三电平中性点箝位（NPC）逆变器，因为它在0V时增加了额外的输出电压电平，从而比标准的两电平逆变器提供了更好的谐波性能。T型逆变器的优点是减少了部分计数和减少了外部开关器件的传导损耗，但缺点是阻断电压降低。演示模型显示了一个额定值为22 kVA的T型逆变器示例，该逆变器将800 V直流母线转换为三相60 Hz、480 V（均方根）配电，用于工业应用。

T型逆变器的热性能受到设备选择、控制器参数和调制方法的影响。在演示模型中，所有12个器件均配置为演示不同Wolfspeed SiC MOSFET的热损耗性能。每个半导体器件被建模为具有定制掩模配置的子系统，每个都有自己的热模型。设备断言（Device Assertions）会检查设备在安全操作区域内的运行情况，并生成警告。

控制器实现的高级示意图如图4所示。图5所示的去耦合同步参考框架电流控制器用于为调制器生成dq电压参考，调制器则将变频器的输出电流调节到所需的设定点。控制器包括直接电流和正交电流的PI调节器，电压参考的相位角由一个简单的同步参考框架锁相环（PLL）测量得到。使用PLL的角度输出，电压参考值被转换为三相电压参考值，并送入一个调制器。调制器的实现可以采用不同的调制方法，包括经典的正弦脉宽调制（SPWM）、空间矢量PWM（SVPWM）、三次谐波注入PWM（THIPWM）、三次谐波零序PWM（THZSPWM）和不连续PWM（DPWM）。

使用提供的模型运行仿真，可以观察到每个相支路的PWM信号、输出交流电流、设备S11和S12的信号以及系统的计算损耗。参数扫描是确定设计决策如何在一系列操作条件下影响变换器性能的有效方法。通过操纵调制方案、开关频率、停滞时间、控制器设定点和控制器增益，可以试验控制器设置。此外，还可以分析设备类型、并联设备的数量以及外部冷却或更大散热器的影响。所有这些设置都会影响损耗行为和系统效率。如果设备在安全操作区域外运行，模拟窗口的右下角将出现一个警告图标，以确定违反了哪些操作标准。

模型重点介绍了用于工业配电网应用的三相T型逆变器。通过简单的设备和控制器设计，突出了PLECS的热建模能力。此模型可用作研究控制器设计对其他拓扑效率影响的示例。

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