逆变器MOS管多管并联

igbt和mos管的区别有哪些 igbt和mos管能互换吗

一、igbt和mos管的区别有哪些

1、什么是igbt

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型半导体器件，由晶体三极管和MOS管组成。

2、mos管是什么

MOS管即MOSFET，又称为绝缘栅场效应管，是一种场效应管类型，分为N沟耗尽型、增强型、P沟耗尽型和增强型四大类。

3、igbt和mos管的区别

（1）在结构上，MOSFET和IGBT虽然外观相似，但内部结构不同。IGBT拥有发射极、集电极和栅极端子，而MOSFET则包含源极、漏极和栅极端子。IGBT内部含有PN结，而MOSFET没有。

（2）在导通电压方面，MOSFET在低电流区的导通电压低于IGBT，在大电流区IGBT则具有更好的正向电压特性。

（3）IGBT在高温特性方面表现更佳，其导通电压低于MOSFET。

（4）IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。

（5）IGBT在高频应用中的性能较差，适合在千赫兹频率范围内运行。MOSFET特别适合高频应用，可在兆赫兹频率下运行。

（6）IGBT的开关速度较低，而MOSFET的开关速度非常高。

（7）IGBT可以承受极高的电压和大功率，而MOSFET仅适用于低至中压应用。

（8）IGBT的关断时间较长，而MOSFET的关断时间较小。

（9）IGBT能够处理瞬态电压和电流，但在瞬态电压出现时，MOSFET的运行会受到影响。

（10）MOSFET器件成本较低，价格便宜，而IGBT至今仍属于较高成本器件。IGBT适用于高功率交流应用，MOSFET适用于低功率直流应用。

二、igbt和mos管哪个好

IGBT和MOSFET各有优势和缺点，选择时主要根据实际应用场合来决定：

1、IGBT的主要优势在于能够处理和传导中至超高电压和大电流，拥有出色的栅极绝缘特性，且在电流传导过程中产生极低的正向压降。即使在浪涌电压出现时，IGBT也能正常运行。与MOSFET相比，IGBT的开关速度较慢，关断时间较长，不太适合高频应用，但更适合高压大电流应用。

2、MOSFET的优点在于非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源（SMPS）中，MOSFET的寄生参数至关重要，它决定了转换时间、导通电阻、振铃（开关时超调）和背栅击穿等性能，这些都与SMPS的效率密切相关。对于门驱动器或逆变器应用，通常需要选择低输入电容（利于快速切换）以及较高驱动能力的MOSFET。

三、igbt和mos管能互换吗

不能。

IGBT和MOSFET的工作特性不同，一般情况下不能互换。但在考虑具体技术细节的情况下，可以用IGBT替代MOSFET，但需要考虑以下问题：

1、电路的工作频率

IGBT的工作频率较低，通常25KHz是上限。如果电路的工作频率超过IGBT的频率上限（以具体管子数据手册为准），则不能替换。

2、驱动电路的关断方式

MOSFET可以通过零压关断或负压关断。而IGBT只能通过负压关断。如果电路的驱动电路仅支持零压关断，则不能替代。

3、功率管并联

MOSFET具有正温度特性，可以直接并联以扩大电流。而IGBT具有负温度特性，不能直接并联。如果电路中使用了多个并联的MOSFET，则不能用IGBT简单替换。

4、电路是否需要开关器件续流二极管

MOSFET自带寄生二极管，而IGBT则需要额外添加。为了保险起见，应选择带有续流二极管的IGBT。

5、IGBT输入电容

IGBT的输入电容应接近原电路中MOSFET的输入电容。这只是考虑驱动电路的驱动能力，与MOSFET和IGBT的特性无关。

6、过流保护电路

对于过流保护电路，IGBT的要求更高。如果没有电路图，则可以通过短路试验来确定能否替换。

对于常见的简单电路，考虑上述因素后，可以使用符合功率耐压要求的IGBT替代MOSFET。

全桥（H桥）驱动电路的控制方法

全桥电路，也称为H桥电路，是通过控制四个MOS管的导通和关断，实现负载获得正向电流和负向电流，进而实现多种功能。H桥电路的定义在这里就不赘述，关键在于四个MOS管的导通与关断状态对应负载电流的方向。

分析四个MOS管的不同导通/关断情况下的负载电流方向，我们发现同一侧的MOS管不能同时导通，避免短路。只有对角的MOS管导通和底下两个MOS管导通才是有效状态。一般情况下，Q1和Q3不会同时导通，因此不进行分析。

为了实现负载通过正向电流，让Q1和Q4导通，Q2和Q3关断。若想让负载通过反向电流，只需将Q2和Q3导通，Q1和Q4关断。当四个MOS管全部关断时，负载无电流通过。考虑到某些负载，如直流电机，是感性负载，建议让Q2和Q4导通，Q1和Q3关断，负载两端接地。

控制MOS管的通断，需要借助MOS管驱动芯片。本文以HIP4081A为例进行说明。芯片的BHO、BLO、AHO和ALO分别与四个MOS管的门极相连。这四个引脚的输出受BHI、BLI、AHI和ALI控制，它们之间的关系可以从芯片的数据手册中的真值表中找到。根据真值表，我们可以通过ALI和BLI的输入来控制负载电流的方向。

在理解了MOS管的通断与负载电流方向的关系后，我们可以归纳出一个表格，列出不同输入下MOS管的状态。关于MOS管导通所需的电压，通常会在芯片的原理图中看到一个电容，即自举电容。该电容用于为MOS管的门极提供大于电源电压的电压，以维持导通状态。

全桥电路的应用广泛，例如在小车电机的正反转控制与调速中，通过改变ALI和BLI的高低电平可以控制电机的正反转。如果ALI或BLI是一个PWM波，调整PWM波的占空比可以实现电机转速的控制。对于负载为变压器初级线圈的场景，通过输出SPWM波，可以将直流电源转换为交流输出，实现逆变器功能。

80nf70场管16个弄的逆变器有多大功率，多大电流，12v电源。

80NF70是68V,98A的NMOS管。

一般升压器都是半桥驱动，也就是上下管的，这样是8个并联，近800A的峰值；也有H桥驱动，那么一个完整的H桥需要4个管子，16个管分4组就是4个并联，近400A的峰值。所以工作方式不同的话，最大电流也是不同的。

另外还有效率问题，以及MOS管工作要留余量的问题，包括温度余量以及瞬间浪涌电流造成上升的余量，根据手册，100度下这个管子持续工作电流仅允许68A，所以H桥方式应该是272A，再除以根号3(安全余量)大约是157A，所以用160A的继电器倒是有道理的。

上边是计算，但既然产品上已经有160A的保护继电器了，说明设计电流最大也不应该超过这个值，不然继电器就要烧死了。因此，它的最大电流160A，最大功率约2000W(1920W才是12V下的准确值，但电瓶正常浮充使用的话电压肯定不止12V，比如13.2V)。

因为电流和功率，在UPS上会有闭环控制，所以单从管子来看去判断它有多大功率和电流是不太可靠的，仅供参考。

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