爱仕为逆变器

车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块助力新能源汽车

一. 碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用及其优势

碳化硅（SiC）器件在新能源汽车领域表现出高效率和高功率密度的性能特点。在800V电池系统和大电池容量应用中，它们能提高逆变器效率，增加续航里程或降低电池成本。SiC功率半导体具有关键的效率特性，能够减少成本，提升电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等多种应用中的系统性能，预计其使用量将快速增长。与基于IGBT的电源模块相比，SiC具有多项优势：

1. 开关速度更快，开关损耗更低，减少系统面积。

2. 适用于高开关频率应用。

3. 高阻断电压。

4. 结温更高。

5. 高电流密度。

6. 降低开关损耗，实现最高效的功率转换率。

7. 高功率密度，结合高开关频率、最小化损耗和最大化效率，实现卓越的输出功率和功率密度。

8. 降低整体系统成本，减少无源滤波器元件数量，降低功率损耗，减少散热器面积，减少冷却需求。

SiC功率模块的典型应用包括大功率电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、储能、电动汽车等。

二. 车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块

车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块，专为新能源汽车主驱逆变器应用设计，具有高功率密度，广泛用于新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统及燃料电池能源转换系统。DCS12模块的特点包括：

1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。

三. 新能源汽车市场应用

目前，商用车规级SiC功率模块多采用基于硅器件的传统模块封装技术，三相全桥HPD模组封装块仍是主流。但随着800V+SiC时代的到来，以半桥结构和塑封工艺为主的封装模式或将成为大趋势。SiC塑封半桥模块更灵活，配合关键技术，可实现更均匀的电流密度分布，热容热阻和杂散电感等方面表现也更好。通过采用双面水冷等技术，还可大幅降低SiC芯片成本。蔚来发布的旗舰车型ET9，搭载1200V SiC功率模块，采取半桥封装工艺，功率模块密度达到1315kW/L，拥有高达30万次的功率循环能力。比亚迪汽车也在更新SiC主驱功率模块技术路线，逐渐从HPD模式向半桥模式转移，并推出相关产品。最近小米汽车SUV正式亮相，主驱电控的SiC功率模块采用SiC半桥模块。据“行家说三代半”调研，国内比亚迪、蔚来和小米，北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在主驱中导入SiC半桥模块。

四. 爱仕特碳化硅MOS系列模块

爱仕特推出了新一代车规级SiC模块—DCS12系列，采用半桥式结构，工作额定电压范围为650V-1700V，工作电流范围为400A-1000A，契合大多数新能源汽车的使用场景。DCS12模块具有以下优势：

- 散热架构优越，整体可靠性强。

- 密封性良好，杂散电感低。

- 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。

作为SiC器件头部厂商，爱仕特目前已完成A+轮融资，基于自主设计的6英寸SiC芯片，现已量产650V、1200V、1700V、3300V全系列SiC MOSFET及功率模块，并自建车规级SiC功率模块生产基地。

湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467