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igbt逆变器关断电压

发布时间:2024-10-30 19:50:14 人气:

一个涉及IGBT的电路,关断瞬间的高脉冲电压为什么不是烧坏IGBT却总是驱动芯片被烧坏?

       还真没见过这么大的IGBT。关断的瞬间续流二极管将流过很大的电流,引起发射极电位的抬高,如果驱动线联接点(主要是发射极端)距离发射极较远,或驱动电源的隔离不好或对地电容过大,有可能使电位反击到驱动芯片,引起驱动芯片击穿。幸好驱动芯片先穿,否则IGBT都不保。

GTO、IGBT等电力电子元件关断的时候是不是都要负电压的?

       通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。上面四种都是一样的原理。现在IGBT比较流行。

IGBT工作原理,一定要加负压才能关断吗?

       IGBT不一定要加负压,0V也可以关断,只是加负压关断更快,而且可以防止上下半桥相互影响,避免直通。比如上半桥开通时,下半桥的门极由于米勒电容的存在,会使门极电压抬升,且开通越快,抬升越高,当门极电压采用0V关断时,有可能抬升超过门槛电压Vgeth而使IGBT导通,此时就会发生上下直通,而如果是采用负压关断,因为下半桥在关断时门极电压是负的,比如-5V,那么抬升的部分跟负压相抵,很难抬升到门槛电压,就避免了上下直通的风险。另外,采用负压关断,关断时由于负压的存在,使得关断速度更快,可以减小关断损耗。

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