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igbt做工频逆变器行吗

发布时间:2024-09-28 21:10:23 人气:

IGBT用途

       用于中高容量功率场合,如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。

       电联车或电动车辆之马达驱动器、变频冷气、变频冰箱,甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。

       IGBT特点在于可以大功率场合可以快速做切换动作,因此通常应用方面都配合脉冲宽度调变(Pulse Width Modulation,PWM)与低通滤波器(Low-pass Filters)。

       由于半导体元件技术的精进,半导体原料品质的提升,IGBT单价价格越来越便宜,其应用范围更贴近家用产品范围,不再只是高功率级的电力系统应用范畴。

       如电动车辆与混合动力车的马达驱动器便是使用IGBT元件,丰田汽车第二代混合动力车Prius II便使用50kw IGBT模组变频器控制两组交流马达/发电机 以便与直流电池组作电力能量之间的转换。

扩展资料:

       IGBT的阻断与闩锁:

       当集电极被施加一个反向电压时, J1 就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个机制十分重要。

       另一方面,如果过大地增加这个区域尺寸,就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。

       当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时,P/N J3结受反向电压控制。此时,仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

       IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管,如图1所示。在特殊条件下,这种寄生器件会导通。

       这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加,对等效MOSFET的控制能力降低,通常还会引起器件击穿问题。

       晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁,具体地说,这种缺陷的原因互不相同,与器件的状态有密切关系。通常情况下,静态和动态闩锁有如下主要区别:

       当晶闸管全部导通时,静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。

为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象,有必要采取以下措施: 防止NPN部分接通,分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。

此外,闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下,P基区的电阻率会升高,破坏了整体特性。

       因此,器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例,通常比例为1:5。

       百度百科-IGBT

逆变器igbt是什么意思

       逆变器IGBT是什么意思?

       逆变器IGBT,全名为绝缘栅双极型晶体管,是一种高性能的低压降功率开关器件。其主要用于能源转换、高电压直流输电等领域。

       逆变器IGBT工作原理主要是通过控制其栅极信号来实现电流的开关。具体来说,通过控制栅极电压,可以控制设备的导通和截止,从而实现电流的开关操作。

       逆变器IGBT广泛用于工业自动化和能源电力等领域,如交流电源、变频器、UPS、太阳能逆变器、风力发电、电机驱动器等。以其性能稳定、控制精度高和效率好等特点,逆变器IGBT已经成为现代电力控制和转换领域的重要元器件之一。

什么是工频逆变器

       智能型逆变器工频率正弦波逆变器,是在单片微处理控制芯片控制下,产生正弦波高频调制信号后再经驱动电路驱动大功率场效应管或IGBT管,使其工作在高频开关状态而达到将直流电源转变成正弦波电源的基本工作原理.其原理图框图如下:1.逆变/充电变频电路:在外电网供电时,使电池充电,当外电网断电时自动切换到电池供电状态,从而使逆变电源自动完成逆变与充电的切换.2.大功率UPS功率场效应管IGBT器件并工作在正弦波调制的高频脉冲开关状态,从而使电池供应的直流电能转换成高频脉冲电能.3.工频变压器:隔离电池供电与输出正弦波的电回路并将电池电压升压或降压成所需要的电压.4.电池滤波和抗干扰电路:防止逆变电源本身产生的干扰通过与电池的连接线向电池及外界产生干扰.5.输出滤波和抗干扰电路:将正弦高频调制脉冲波转换成纯净的工频正弦波.6.输入整流滤波电路:将电网交流电能转换成直流电能.7.电池充电系统:将高压直流电能隔离且转换成充电电池所需要的电压8.单片机控制系统:由单片微处理控制器产生正弦波高频调制脉冲信号传送到驱动电路,同时单片微处理控制电路将所有检测到的电信号进行分析,处理和控制而使整体逆变电源系统工作可靠,协调.9.输出电压取样:检测逆变电源逆变时的输出电压.10.输出电流检测:检测逆变电源在逆变时的输出电流.11.电池电压取样:检测逆变电源电池的电压供单片机控制系统处理,从而保护电池在充电状态时,快速充电,逆变时保护电池不过度放电而损坏.12.电池电流检测:检测逆变电源在充电或放电时电池的充电电流或放电电流.13.驱动电路:为驱动可执行元件而设置的功率放大电路.14.显示器:逆变电源输出电压值及输出电流值的显示.

IGBT有一个工作频率,怎么解释

       工作频率是指IGBT在单位时间内可进行开关操作的次数。换句话说,就是IGBT一秒钟内可以进行多少次开(导通)和关(截止)转换的频率。

       IGBT的开关转换速度非常快,大大超过了传统的电子元器件。因此,IGBT可以在高频率下工作,这使得它在许多高频率的电力电子系统中有着广泛的应用,比如开关电源、逆变器和频率转换设备等。

       但是,值得注意的是,IGBT的工作频率并不是越高越好。因为IGBT在开关转换过程中会有一定的能量损失,频率越高,单位时间内的转换次数越多,能量损失也就越大。这就需要在性能和效率之间做出权衡,选择一个合适的工作频率。

IGBT模块能用在低压大电流电路中吗?

       是的,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块通常可以在低压大电流电路中使用。IGBT是一种功率半导体器件,结合了场效应晶体管(FET)和双极型晶体管(BJT)的优点。它在高压和大电流应用中表现良好,但也可以在低压大电流电路中使用。

       IGBT模块的优势之一是其能够处理相对较高的电压,同时具有较大的电流承受能力。这使得它在各种电源和功率电子应用中都很受欢迎,包括工业变频器、电机驱动器、电焊机、电源逆变器等。

       在选择IGBT模块时,确保它的规格符合你的具体应用需求,特别是要注意其额定电压和电流参数。

工频UPS的逆变器使用的是IGBT为什么,工作频率也是50Hz呢?

       IGBT可以理解为工作频率很高的继电器,起开关作用。因为市电是50Hz,所以工作频率也是50Hz

       工频是后级的变压器是工频50Hz.但是IGBT在前级工作在高频的状态,载波频率一般都在K级的。常见的UPS用的是H桥拓扑前面两个IGBT是高频管后面一对是低频管。然后经低通滤波器去高频成分输出50Hz正弦波

       IGBT作为逆变管,载波频率一般为10KHZ左右。逆变完了还要经过低通滤波器,去掉高频成份,输出是50HZ的正弦波。

市面上变频器都用IGBT逆变吗?有用达林顿管的吗?

       北京瑞田达为您讲解:

        IGBT模块是先进的第三代功率模块,工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中,单个元件电压可达4.0KV(PT结构)— 6.5KV(NPT结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。

        追其原因是第三代IGBT模块,它是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20KHZ),这两点非常显著的特性,最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2V)的NPT—IGBT性能更佳,相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。

        IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化调试工作等,都与IGBT有密切的内在联系,所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发,予估近2-3年内,会有突破性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,IGCT,电流型SGCT等。

IGBT模块使用在变频器里 逆变过程的流程 是怎么回事呢?有高手讲解没?越清楚越好啊有图更好

        首先,逆变器的作用是将交流电变为直流电,然后用电子元件对直流电进行开关,变为交流电。工作过程一般分为整流电路、平波电路、控制电路、逆变电路四大过程。一个集成后的IGBT模块有很多种,比如五合一、七合一等(原理图见下表),里面会有IGBT芯片、整流二极管芯片和快速恢复二极管芯片,然后有半桥也有全桥。通过IGBT模块,电流从交流变为直流,然后再通过IGBT的开关作用从直流变为交流,实现频率的变化。

       再者,你可以简单的将IGBT理解成MOSFET管,功能是一样的(见下图),若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

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