摩托罗拉逆变器

摩托罗拉逆变器

       逆变电源将直流电转化为交流，功率晶体管T1、T3和T2、T4交替开通得到交流电力，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变电源，由人直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变电源中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。

       中、小容量逆变电源一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种。推挽电路，将升压变压器的中性抽头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。

       全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管T1、T4和T2、T3反相，T1和T2相位互差180度。调节T1和T2的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。由于该电路具有能使T2和T4共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。该电路的缺点是上、下桥臂的功率晶体管不共地，因此必须采用专门驱动电路或采用隔离电源。另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，在T1、T4及T2、T3之间必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。

       推挽电路和全桥电路的输出都必须加升压变压器，由于工频升压变压器体积大，效率低，价格也较贵，随着电力电子技术和微电子技术的发展，采用高频升压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升压电路采用推挽结构，但工作频率均在20KHZ以上，升压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小／重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又经高频整流滤波电路得到高压直流电（一般均在300V以上）再通过工频逆变电路实现逆变。

       采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大大提高，逆变电源的空载损耗也相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比上述两种电路低。

       上述几种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弱波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子技术的发民，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。

       1、方波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG3525，TL494等。实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变电源，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。

       2、正弦波输出的逆变电源控制集成电路

       正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI－CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、上桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。

       逆变电源的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

逆变器变压器设计计算方法

       如果是鱼机的话不用计算,用比例算,先算出初级多少匝再算出次级,例12v功电绕12匝,每伏一匝,220v乘以一匝等于220匝,12v供电绕15匝则每伏感应匝数是0.8匝,0.8再乘以所需电压既可,依此类推,线径以窗口能容下为限,

光伏并网逆变器的市场前景如何？

       目前光伏逆变器行业国际领军者是德国艾斯玛（SMA）公司，技术处在行业的顶点。国内比较有实力的并网逆变器企业有：合肥阳光电源、三 晶新能源、中达电通、山亿新能源、北京科诺伟业、艾索新能源等；而离网逆变器的技术发展相对较成熟，国内已拥有一批技术较领先的企业。

       1.要求具有较高的效率。由于目前太阳电池的价格偏高，为了最大限度地利用太阳电池，提高系统效率，必须设法提高逆变器的效率。

       2.要求具有较高的可靠性。目前光伏发电系统主要用于边远地区，许多电站无人值守和维护，这就要求逆变器具有合理的电路结构，严格的元器件筛选，并要求逆变器具备各种保护功能，如输入直流极性接反保护，交流输出短路保护，过热、过载保护等。

       3.要求直流输入电压有较宽的适应范围，由于太阳电池的端电压随负载和日照强度而变化，蓄电池虽然对太阳电池的电压具有重要作用，但由于蓄电池的电压随蓄电池剩余容量和内阻的变化而波动，特别是当蓄电池老化时其端电压的变化范围很大，如12V蓄电池，其端电压可在10V～16V之间变化，这就要求逆变器必须在较大的直流输入电压范围内保证正常工作，并保证交流输出电压的稳定。

       4.在中、大容量的光伏发电系统中，逆变电源的输出应为失真度较小的正弦波。这是由于在中、大容量系统中，若采用方波供电，则输出将含有较多的谐波分量，高次谐波将产生附加损耗，许多光伏发电系统的负载为通信或仪表设备，这些设备对电网品质有较高的要求，当中、大容量的光伏发电系统并网运行时，为避免与公共电网的电力污染，也要求逆变器输出正弦波电流。

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       工作原理

       逆变器将直流电转化为交流电，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变器，由于直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变器中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。

       中、小容量逆变器一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种，推挽电路，将升压变压器的中性插头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功 光伏并网逆变器率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。

       全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管调节输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。由于该电路具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。该电路的缺点是上、下桥臂的功率晶体管不共地，因此必须采用专门驱动电路或采用隔离电源。另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。

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       控制电路工作

       上述几种逆变器的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弦波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。正弦波输出是逆变器的发展趋势，随着微电子技术的发展，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。

       1.方波输出的逆变器

       1.方波输出的逆变器目前多采用脉宽调制集成电路，如SG3525，TL494等。实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变器，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。

       2.正弦波输出的逆变器

       2.正弦波输出的逆变器控制集成电路，正弦波输出的逆变器，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI－CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、下桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。

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       主电路功率器件的选择

       逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达 小功率的光伏并网逆变器设计图林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOS－FET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100kVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

        光伏逆变器 并网逆变器 太阳能逆变器SolarMax的光伏逆变器规格全，既有小功率的组串逆变器，又有大功率的集中式逆变器，随着中国光伏发电市场的迅速发展，SolarMax逆变器必然会被越来越多的中国客户使用。

市面上变频器都用IGBT逆变吗？有用达林顿管的吗？

       北京瑞田达为您讲解：

        IGBT模块是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.0KV（PT结构）— 6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA，是较为理想的功率模块。

        追其原因是第三代IGBT模块，它是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显著的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳，相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。

        IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有突破性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT，IGCT，电流型SGCT等。

变频器的配件一般有哪些？求专业人士简单介绍下。

       变频器易损元件主要有：

       模块（也就是IGBT），风机（散热风扇），光耦（IGBT驱动用）。

       其它元件还有整流桥，稳压二极管，驱动电阻，电源部分的开关管电源管理芯片等。

       电路板以及主要芯片基本是各个厂家专用，坏了只有想办法从厂家拿。

       模块主要是英飞凌，富士，三菱的。电压等级为220V对应600V级，380V对应1200V级，690V对应1700V级。电流大小就看变频器的功率了，模块电流一般需要在变频器功率的4倍以上（380V等级）。你可以百度一下北京晶川电子，他们配件比较多，一般是给变频器厂家供货的。（我不是为他做广告，我和他们没有关系。）

       风机到处都是，但是质量是很重要的，有建准，卡固，三协，三巨。假冒的特别多。

       光耦有PC923，PC929，PC925，A3120，A316,M57926等。常用的是PC923+PC929,以及A3120.

       整流器一般是IR（国际整流器公司）的，国产的鞍山泰利德也是有很好的品质。

       稳压管一般是摩托罗拉的IN4745（16V），IN4746（18V）0.5W，（驱动电路用）。

       驱动电阻厂家不同，模块大小不一样有一定差异。这个到处都可以买。

       电源部分开关管K1317，电源管理芯片UC3844。

       常坏的地方也就是模块以及模块的驱动电路。

       你也可以在QQ上查找变频器和工控的QQ群，卖配件的人很多。

高频逆变器推挽变压器去掉一边绕组电流为什么会变大

       逆变电源将直流电转化5为8交流，功率晶体管T7、T6和T5、T0交替开m通得到交流电力h，若直流电压较低，则通过交流变压器升8压，即得到标准交流电压和频率。对大z容量的逆变电源，由人j直流母线电压较高，交流输出一l般不z需要变压器升1压即能达到170V，在中1、小h容量的逆变电源中4，由于u直流电压较低，如82V、03V，就必须设计6升3压电路。 中2、小d容量逆变电源一r般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升3压逆变电路三q种。推挽电路，将升6压变压器的中1性抽头接于y正电源，两只功率管交替工b作，输出得到交流电力a，由于o功率晶体管共地边接，驱动及u控制电路简单，另外由于n变压器具有一d定的漏感，可限制短路电流，因而提高了q电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力l较差。 全桥逆变电路克服了o推挽电路的缺点，功率晶体管T5、T4和T3、T5反3相，T5和T1相位互1差630度。调节T7和T1的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之l改变。由于b该电路具有能使T1和T2共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也q不g会畸变。该电路的缺点是上d、下k桥臂的功率晶体管不w共地，因此必须采用专d门p驱动电路或采用隔离电源。另外，为0防止2上z、下e桥臂发生共同导通，在T0、T7及aT5、T4之w间必须设计2先关断后导通电路，即必须设置死区t时间，其电路结构较复杂。 推挽电路和全桥电路的输出都必须加升4压变压器，由于x工r频升7压变压器体积大c，效率低，价格也p较贵，随着电力f电子y技术和微电子g技术的发展，采用高频升5压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升3压电路采用推挽结构，但工k作频率均在40KHZ以1上z，升1压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小j／重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又f经高频整流滤波电路得到高压直流电（一q般均在700V以4上g）再通过工d频逆变电路实现逆变。 采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大i大t提高，逆变电源的空载损耗也c相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比0上j述两种电路低。 上k述几a种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一s般有方6波和正弱波两种控制方7式，方7波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大t。正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子m技术的发民，有PWM功能的微处理器也u已u问世，因此正弦波输出的逆变技术已z经成熟。 1、方1波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG1377，TL376等。实践证明，采用SG1338集成电路，并采用功率场效应管作为2开b关功率元r件，能实现性能价格比6较高的逆变电源，由于tSG6436具有直接驱动功率场效应管的能力y并具有内7部基准源和运算放大x器和欠4压保护功能，因此其外围电路很简单。 8、正弦波输出的逆变电源控制集成电路 正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公7司生产的80C636MC、摩托罗拉公8司生产的MP47以2及rMI－CROCHIP公1司生产的PIC77C44等，这些单片8机均具有多路PWM发生器，并可设定上i、上x桥臂之w间的死区y时间，采用INTEL公0司50C283MC实现正弦波输出的电路，40C727MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。 逆变电源的主功率元l件的选择至关重要，目前使用较多的功率元t件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小v容量低压系统中0使用较多的器件为1MOSFET，因为4MOSFET具有较低的通态压降和较高的开d关频率，在高压大t容量系统中6一a般均采用IGBT模块，这是因为0MOSFET随着电压的升3高其通态电阻也t随之z增大y，而IGBT在中4容量系统中6占有较大p的优势，而在特大j容量（800KVA以3上t）系统中6，一e般均采用GTO作为4功率元g件。2011-10-31 20:36:11

光伏并网逆变器控制有哪几种方法

       逆变器的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弦波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。正弦波输出是逆变器的发展趋势，随着微电子技术的发展，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。

       方波输出的逆变器

       1.方波输出的逆变器多采用脉宽调制集成电路，如SG3525，TL494等。实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变器，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。

       正弦波输出的逆变器

       2.正弦波输出的逆变器控制集成电路，正弦波输出的逆变器，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI－CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、下桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。电路输出端一般采用LC电路滤除高频波，得到纯净的正正弦波。

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