逆变器小振荡模块

求大神帮忙理解下这个逆变电路

       首先纠正一下图中的错误：在Q1、Q2栅极对地要增加两个电阻，同时将R6短接，否则是不能控制Q1、Q2的关断的。

       先看一下SG3524的功能图：

       工作原理：

       1、振荡部分

       SG3524是通用脉宽调制器（PMW），属于数字、模拟混合电路。它的振荡频率由6、7脚的R1、C1决定，f≈1.3/R1C1，图中参数的振荡频率约为87Hz。

       2、驱动部分

       SG3524内部有两个三极管轮流导通（截止）输出，用来驱动外部的场效应管Q1、Q2轮流导通与关断。

       由于Q1、Q2是场效应管，栅极对地相当于一个电容，SG3524内部三极管导通时给栅极电容充电，使场效应管导通，但三极管截止时栅极电容需要放电才能使场效应管截止，增加的R9、R10就是这个作用。

       3、变换输出

       Q1、Q2轮流导通与关断，相当于在变压器T的原边输入一个交流电，在变压器输出端获得交流输出。

       4、控制部分

       利用SG3524的补偿端9脚进行控制。

       补偿端9脚控制电位范围为1~3.5V，补偿端9脚电位越高输出占空比越小，最终的交流输出电压越低，补偿端9脚电位越低输出占空比越大，最终的交流输出电压越高。调节Rp可以调节补偿端9脚电位。

简单的逆变器电路图分析

       这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。

       电路图

       工作原理

       这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。

       方波信号发生器（见图3）

       这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。

       场效应管驱动电路

       这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。

       场效应管驱动电路

       由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示。

       MOS场效应管电源开关电路。

       这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

       图5

MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

       图6

       为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

       图7a图7b

       对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。

       图8

下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

       由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。

       制作要点

       电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。

       逆变器的性能测试

       测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a）。可以看出，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例：

       假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时，W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。此时输出电压为200V。

逆变器的低频震荡怎么处理

       逆变器的低频震荡处理方法如下：

       1、检查系统的接地情况。逆变器的接地必须良好，否则会导致电磁干扰和噪声。可以通过检查接地电阻和接地线路的连接情况来确保逆变器的接地质量。

       2、检查系统的滤波器。逆变器的滤波器可以减少系统中的高频噪声和干扰。如果滤波器失效或损坏，可能会导致低频震荡。可以通过检查滤波器的电容和电感等元件来确保其正常工作。

       3、调整系统的控制参数。逆变器的控制参数可能会影响系统的稳定性和响应速度。可以通过调整控制参数来减少低频震荡。具体的调整方法需要根据具体的逆变器型号和控制算法来确定。

       4、安装机械隔振器。机械隔振器可以减少系统的振动和噪声。可以在逆变器和负载之间安装机械隔振器，以减少低频震荡。

       5、更换逆变器。如果以上方法都无法解决低频震荡问题，可能需要更换逆变器。新的逆变器可能具有更好的控制算法和滤波器设计，可以更好地抑制低频震荡。需要注意的是，处理低频震荡需要具有一定的专业知识和技能，建议寻求专业人员的帮助。另外，为了避免低频震荡的出现，可以在逆变器的选择和设计阶段就充分考虑系统的稳定性和抗干扰能力，选择合适的逆变器型号和设计方案。

牵引逆变器逆变模块有哪些

       1、开关管振荡变压器取样调宽管还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理。

       2、在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

逆变器震荡电路

       先检查3225的供电正常否 15、13是电源输入叫 12V电源最低不能低于9.5v 14、11脚是驱动信号输出脚 用数字万用表HZ挡测量 有没有频率输出 占空比47-49 如果有请检查驱动管 电源是否正常 变压器回路是否正常 如果电源正常 而没有频率输出 更换3525 在检查问题

自己制作了一个方波逆变器，振荡电路是二个三极管，二个电容，四个电阻组成双输出方波电路。

       呵呵！非门也是典型的方波‘源’，要想获得正弦波，主振电路必须是标准正弦波，基频必须是50HZ，并且没有谐波，否则就容易烧毁推动和功率输出管！

       当然，买个正弦波‘模块’，再推动功率输出，就更方便、简单了。

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