关于逆变器中高频变压器的设计…？
设计高频变压器首先应该从磁芯开始。
开关电源变压器磁芯多是在低磁场下使用的软磁材料，它有较高磁导率，低的矫顽力，高的电阻率。磁导率高，在一定线圈匝数时，通过不大的激磁电流就能承受较高的外加电压，因此，在输出一定功率要求下，可减轻磁芯体积。磁芯矫顽力低，磁滞面积小，则铁耗也少。高的电阻率，则涡流小，铁耗小。铁氧体材料是复合氧化物烧结体，电阻率很高，适合高频下使用，但Bs值比较小，常使用在开关电源中。
高频变压器的设计通常采用两种方法
第一种是先求出磁芯窗口面积AW与磁芯有效截面积Ae的乘积AP（AP=AW×Ae，称磁芯积乘积），根据AP值，查表找出所需磁性材料之编号
第二种是先求出几何参数，查表找出磁芯编号，再进行设计。
高频环节逆变技术与低频环节逆变技术的区别
高频逆变器工作原理 高频逆变器是一种DC to AC的变压器，它其实与转化器是一种电压逆变的过程。
转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。
其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
1.输入接口部分：输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，逆变器不工作，而ENB=3V时，逆变器处于正常工作状态;而DIM电压由主板提供，其变化范围在0～5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，逆变器向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，逆变器输出的电流就越大。
2.电压启动回路：ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
3.PWM控制器：有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
4.直流变换：由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
5.LC振荡及输出回路：保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。
6.输出电压反馈：当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定I逆变器电压输出的作用。
高频逆变器和低频的区别 1、按照电气和电子工程师学会(IEEE)制定的频谱划分表，低频频率为30~300kHz，中频频率为300~3000kHz，高频频率为3~30MHz，频率范围在30~300MHz的为甚高频，在300~1000MHz的为特高频。相对于低频信号，高频信号变化非常快、有突变;低频信号变化缓慢、波形平滑。
2、电源与信号是不一样的，电源板提供的电压一般频率为0(直流电源)或者50Hz(交流电源)。信号可以说是高频还是低频(或者其他频率)，电源板就不好说了，因为它只是用来供电的，频率很低，一定要说的话也只是低频。
3、高频逆变器的的好处主要是重量轻体积小，待机功率小，效率比较高(相对会省电一些)。缺点是抗冲击性不如工频逆变器(也就是你说的低频)好，可能带不了食物搅拌机，手电钻之类的电器。 低频的缺点是比较重，比较大，价格可能也会略贵，自身损耗会稍大一些(有点费电)。优点是比较皮实，带冲击性电器的能力会好一些。
以上，我们知道变压器的工作原理，它通常分为高频升压变压器和高频降压变压器两种，一个用来升压后进入输送电路，一个是将高频交流变为低频直流供用户使用，这样巧妙的设计是为了在那段最长的线路将低压直流电逆变为高频低压交流电，以此来减少减少功率的损耗。其次，变压器油高频低频之分，他们在频率和信号频率是不一样的，但是两者是各有优缺点，适用于不同的场合。高频逆变器
关于逆变器中高频变压器的设计…？
设计高频变压器首先应该从磁芯开始。
开关电源变压器磁芯多是在低磁场下使用的软磁材料，它有较高磁导率，低的矫顽力，高的电阻率。磁导率高，在一定线圈匝数时，通过不大的激磁电流就能承受较高的外加电压，因此，在输出一定功率要求下，可减轻磁芯体积。磁芯矫顽力低，磁滞面积小，则铁耗也少。高的电阻率，则涡流小，铁耗小。铁氧体材料是复合氧化物烧结体，电阻率很高，适合高频下使用，但Bs值比较小，常使用在开关电源中。
高频变压器的设计通常采用两种方法
第一种是先求出磁芯窗口面积AW与磁芯有效截面积Ae的乘积AP（AP=AW×Ae，称磁芯积乘积），根据AP值，查表找出所需磁性材料之编号
第二种是先求出几何参数，查表找出磁芯编号，再进行设计。
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