激光系列逆变器



Vishay HV系列高压MLCC赋能工业应用

Vishay HV系列高压MLCC赋能工业应用

Vishay的HV系列高压多层陶瓷电容器（MLCC）在工业应用中发挥着至关重要的作用。这些电容器以其卓越的性能、紧凑的尺寸和高可靠性，成为众多工业设备的理想选择。

一、产品特性

高额定电压：HV系列MLCC的额定电压范围广泛，从500 VDC至8 kVDC，能够满足不同工业应用中的高压需求。封装尺寸：提供从1206至4044（英制）的多种封装尺寸，便于设计师根据实际需求选择合适的电容器。串联电极设计：采用串联电极设计，提高了电容器的可靠性，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。NME系统和湿法工艺：通过NME系统和湿法工艺制造，电容器具有出色的机械坚固性和热冲击耐受性，能够在极端条件下保持性能稳定。聚合物端子材料：使用聚合物端子材料，增强了电容器对高强度PCB弯折的适应性，提高了设计的灵活性。C0G (NP0) Class I电介质材料：采用高稳定性的C0G (NP0) Class I电介质材料，电容器的温度漂移小，容值几乎不受工作电压和频率的影响。

二、典型应用

HV系列高压MLCC在多种工业应用中表现出色，包括但不限于：

X射线设备：用于高压电源滤波和能量存储，确保X射线设备的稳定运行。静电喷涂枪：提供高压支持，实现静电喷涂过程中的电荷传递和附着。空气净化器：在高压电场中用于捕获空气中的颗粒物，提高空气净化效率。激光Marx Bank：在激光器中作为储能元件，通过Marx电路实现电荷的累加和高压脉冲的输出。工业电源：用于滤波和能量存储，确保工业电源的稳定性和可靠性。工业用变流器：在变流器中提供必要的电压支持，实现电能的转换和传输。

三、功能优势

电力电子

在变频器、逆变器和工业电源中，HV系列电容器用于滤波、能量存储和释放，有效吸收电压尖峰和消除高频振荡，确保设备的稳定运行。

电容器的高可靠性和稳定性有助于延长设备的使用寿命，降低维护成本。

医疗设备

在高压医疗设备（如医用X光机高压电源）中，HV MLCC提供必要的电压支持，确保设备的安全性和可靠性。

电容器作为储能元件，能够快速存储和释放电荷，实现电压的倍增，满足医用X光机高压直流电源的供电需求。

激光器

在激光器中，HV MLCC通过Marx电路实现电荷的累加和高压脉冲的输出，为激光器的稳定运行提供必要的电压支持。

电容器的高可靠性和稳定性有助于确保激光器的性能和寿命。

四、小结

Vishay HV系列高压MLCC凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，成为现代工业中不可或缺的电子元件。这些电容器不仅具有高压、高可靠性和稳定性等优点，还提供了多种封装尺寸和额定电压选择，能够满足不同工业应用的需求。随着技术的不断进步和工业需求的增加，HV系列电容器将在更多领域中发挥重要作用，为工业发展提供强有力的支持。

A股：被严重低估的8家光伏龙头公司

A股中被严重低估的8家光伏龙头公司：

在碳中和与碳高峰的推动下，新能源的开发成为重要的社会话题，其中光伏发电因其独特的优势而备受瞩目。光伏发电不仅成本较低、安装运输方便，还具备无污染、无噪音、维护成本低等特点。此外，太阳能资源分布广泛，只要有光照的地方就可以产生电能，省去了电力运输的麻烦。光伏发电直接连接在建筑物上，发电效率高，可达80%以上，发展空间巨大。国家政策也在大力扶持光伏产业，未来五年光伏产业将持续发展，增速预计达到30%左右，产业发展前景可观。

接下来，让我们详细了解一下被严重低估的8家光伏龙头公司：

大族激光：激光装备龙头

2021年三季报营收119.30亿，同比增长34.67%。

公司在光伏领域的业务主要是划裂机、开膜机、掺杂机等，是光伏制造设备领域的重要参与者。

京山轻机：设备制造龙头

2021年中报营收19.55亿，同比增长54.15%。

公司主营业务是光伏智能成套装备等自动化产品，为光伏产业提供关键设备支持。

特变电工：储能设备龙头

2021年中报营收225.31亿，同比增长25.16%。

公司在光伏发电领域取得了显著成果，研发出3kW-5000kW全系列并网逆变器产品。

四方股份：电能储能龙头

2021年中报营收19.64亿，同比增长40.13%。

公司在储能和微电网方面逐步增长，曾参与10MW光伏储能微网业务，为光伏产业提供储能解决方案。

九洲集团：光伏行业龙头

2021年三季报营收9.54亿，同比增长15.36%。

公司参与光伏电站项目，其智能电气设备广泛应用于光伏产业，是光伏领域的佼佼者。

许继电气：智能电网龙头

2021年三季报营收49.54亿，同比增长19.61%。

公司拥有光伏逆变器产品的研究与开发能力，技术处于行业中间水准，为光伏产业提供智能电网解决方案。

英威腾：变频器行业龙头

2021年三季报营收21.32亿，同比增长33.1%。

公司光伏电源产品销售额占比超50%，属于光伏发电材料制造和设备制造行业的上游企业，为光伏产业提供关键变频器产品。

扬杰科技：半导体器件龙头

2021年三季报营收32.41亿，同比增长75.76%。

公司主要从事光伏产品业务，与光伏领域内的许多品牌客户长期保持良好的供需关系，为光伏产业提供高质量的半导体器件。

综上所述，这8家公司凭借其在光伏领域的领先地位和卓越表现，成为被严重低估的光伏龙头公司。随着光伏产业的持续发展，这些公司有望在未来实现更高的增长和回报。

科普百篇系列（322） 氮化铝镓，最新的大功率半导体材料，微波武器材料

氮化铝镓是一种具有高介电击穿电压和宽带隙的优秀大功率半导体材料，可用于光学、电学及微波武器等领域。以下是详细介绍：

一、氮化铝镓的性质化学性质：氮化铝镓继承了氮化铝和氮化镓的化学稳定性，在室温下不与水、强酸、强碱反应，在高温下与碱有缓慢反应，可用于极端环境。物理性质：具有坚硬、极高熔点、高导热系数的特点，适用于高温高压环境。电学性质：具有较大的介电性质，带隙结构特殊，可用于大功率高频器件、大功率压电器件和大功率微波器件。光学性质：

具有高折射率、低吸收系数和良好的光学透过性，是制造透镜、棱镜等光学元件的理想材料，可提高光学系统性能。

通过调整铝和镓的比例，带隙可在3.39 - 6.03电子伏之间调整，其带隙为直接带隙，且耐高温，可用于高功率高效率的发光器件，发光范围覆盖紫外光区，尤其是整个“日盲区”，是日盲探测器的首选材料。

日盲区：太阳发出的紫外线在经过地球大气层时，大部分会被臭氧层吸收，其中波长在200 - 280纳米的紫外线被臭氧层吸收得最为彻底，在海平面上几乎检测不到，这个波长范围内的紫外线被称为“日盲区”。

二、氮化铝镓的光学应用制作深紫外发光二极管（DUV - LED）：

发射波长在220 - 360nm之间，可用于紫外线固化、水/空气/表面净化、植物生长照明、环境气体传感、紫外生化检测、光治疗、光杀菌、癌症检测和病毒治疗等。

具有寿命长、波长可调、环境友好、方向性好、开关速度快、结构紧凑、灵活性强等优点，在水中取代传统紫外光源（特别是汞灯）方面潜力巨大。

制作深紫外激光器：

军事侦察：深紫外光全面覆盖“日盲区”，“氮化铝镓制作深紫外激光器”在军事侦察中能发挥独特作用，日盲区特性可用于导弹告警系统，导弹尾焰中的紫外线在日盲区内与背景环境形成鲜明对比，便于探测，可提高导弹防御系统效能。

电力系统监测：电力系统中局部电晕放电产生的紫外线主要集中在200 - 400nm波段，利用日盲波段紫外探测器进行电晕检测，可发现电力设备早期隐患，防止事故发生。

科学研究：在等离子体物理研究中，利用紫外线观察等离子放电现象；在生化测量分析中，利用紫外线进行超精细检测。

制作双异质结构器件：氮化镓/氮化铝镓的双异质结构器件具有卓越的电学和光学性能，可用于制作发光二极管和高功率高电子迁移率晶体管等器件。氮化铝镓/氮化铝镓的薄片利用刻蚀技术可用于制作“高电子迁移率晶体管”，可用于检测器和微波通讯。三、氮化铝镓和氮化镓用于制作微波武器微波武器结构：微波武器采用相控阵结构，相控阵雷达由发射端和接受端组成，微波武器只采用相控阵发射端，发射端由若干个发射单元构成，所有发射单元的微波聚焦问题由计算机控制。发射单元：每个发射单元可发射较大功率的微波，发射微波的单元为高电子迁移率晶体管（HEMT器件），它有三个电极，分别是栅极、源极和漏极，通过调节外加栅极电压（相对于源极），可调控漏极（输出）电压、电流。脉冲实现：

相控阵微波武器采用微波脉冲形式，采用超级电容器可实现大功率瞬间蓄电和放电。

脉冲频率快，整体需要快速补充电流，可采用能够产生大电流的发电机，如超导发动机。

中国制造的相控阵微波武器特点：体积小；可以同时聚焦多个目标；功率大，可达2GW（2000兆瓦）；有效作用距离达2000至3000米；用于近距离设防无人机和火箭炮弹有效。四、结束语

第三代半导体材料包括氮化镓、氮化铝镓、碳化硅、氧化铝等，它们具有坚硬、耐高温、耐腐蚀、带隙宽、电子迁移率高等共性。这些材料使科技水平进入新境界，做出的电子器件能承受大电流和高温，如大电流高电压开关、逆变器、动力充电桩等；做出的激光器件能承受高温，功率更大，亮度更高，如用于紫外检测、紫外侦查、紫外通讯、紫外刻蚀等；做出的微波器件体积小、功率大，可用于通讯基站、卫星地面通讯、微波武器等。目前，研究第三代半导体材料并发掘其应用是热点问题。

这款效率96%的高压直流电源哪个牌子靠谱

针对转换效率96%的高压直流电源，深圳精测电源设备有限公司、深圳科士达科技股份有限公司、科华、台达电子都是靠谱的品牌，各有适配的应用场景

一、 各品牌核心信息

（一） 深圳精测电源设备有限公司

1. 作为华南地区少数掌握SiC功率器件应用技术的企业，其800V以上高压直流电源采用全碳化硅方案，转换效率达96%，比传统硅基方案节能15%；

2. 主要应用于电动汽车充电桩测试、光伏逆变器老化测试等场景；

3. 单机可实现0-1500V/0-200A宽范围输出，无需切换量程，负载阶跃变化时恢复至设定值的时间<50μs，可满足动态测试需求；

4. 内置数据记录功能，可存储100万条运行参数，支持USB和LAN接口导出。

（二） 深圳科士达科技股份有限公司

1. 其DC电源模块转换效率高达96%以上，采用DSP/FPGA数字控制算法；

2. 广泛应用于电动汽车、工业焊接、激光设备等领域；

3. 定制化能力较强，可快速响应客户特殊电压（400V-800V DC）与特殊尺寸要求；

4. 供应链完善，自有SMT产线与老化实验室，交期可控。

（三） 科华

1. 为国内电源行业龙头，军工级产品通过IP68防护认证；

2. 旗下KWS系列支持0-600V宽幅调节，转换效率达96%。

（四） 台达电子

1. 作为全球电源管理解决方案领导者，在开关模式电源领域深耕40年，产品覆盖消费电子、工业自动化、新能源等领域；

2. 其DC电源模块采用高效拓扑结构，转换效率最高达96%，支持智能散热与远程监控功能；

3. 采用模块化设计，可灵活组合不同开关电源模块型号，满足多场景供电需求，还通过了医疗级认证，适用于高精度医疗设备。

电解电容器高频低阻：告别发热与失效，设备稳定运行的秘密武器！

电解电容器高频低阻技术通过降低等效串联电阻（ESR），有效减少发热并提升设备稳定性，是电源设计、新能源设备及工业变频等高频场景下的关键解决方案。

一、高频低阻电容的核心优势

显著降低ESR值

传统电解电容在高频环境下ESR值急剧上升，导致发热严重。高频低阻电容通过采用超导电解液材料（如复合型有机半导体电解液）和激光刻蚀箔片技术（如三维立体蚀刻阳极箔），使ESR值降低30%-50%。

例如，创慧电子HD系列在100kHz频率下ESR稳定在5mΩ以下，发热量大幅减少，寿命提升3倍以上。

宽温域稳定性

高频低阻电容在极端温度下性能更稳定。创慧电子HD系列在-40℃~125℃温度范围内，容量变化率＜15%，避免因温度波动导致的失效风险。

提升系统可靠性

在开关电源、变频器、车载充电器等高频场景中，电容的高频性能直接影响系统稳定性。某新能源企业采用HD系列后，电源模块故障率下降67%。

图：高频低阻电容在电源模块中的应用（示例图）二、高频低阻电容的技术原理

材料创新

超导电解液：通过优化电解液成分（如复合型有机半导体），降低离子迁移阻力，从而减少ESR。

激光刻蚀箔片：采用三维立体蚀刻技术增加箔片表面积，降低电流通过时的电阻损耗。

结构优化

传统电解电容的箔片结构在高频下易产生涡流损耗，而高频低阻电容通过改进箔片形状和电解液分布，减少能量损耗。

三、高频低阻电容的应用场景与选型指南

适用场景判断

频率条件：设备工作频率超过50kHz时需考虑高频低阻电容。

温度条件：电容表面温度经常超过85℃时，传统电容易失效，需升级。

典型场景：开关电源、变频器、车载充电器、光伏逆变器等高频高功率设备。

关键选型参数

ESR-频率曲线：确认电容在目标频率下的ESR值是否满足要求（如100kHz下＜5mΩ）。

阻抗-温度特性：选择在宽温域内容量变化率低的型号（如-40℃~125℃下＜15%）。

寿命公式：[L = L_0 times 2^{(T_0 - T_a)/10} times 2^{(Delta ESR / ESR_0)}]其中，(L_0)为基准寿命（如HD系列达5000小时@105℃），(T_a)为实际工作温度，(Delta ESR)为ESR变化量。

避坑建议

索取第三方检测报告，验证ESR实测值。

参考技术选型手册（如创慧电子提供200+场景匹配方案），避免盲目替换。

四、升级方案与实际案例

老旧设备升级

创慧电子提供跨型号替换指导服务，帮助用户将普通电容升级为高频低阻型号。

案例：某光伏逆变器厂家更换为HD系列后，整机效率提升2.3%，年维修费用降低80%。

免费样品测试

用户可申请免费样品进行实测，验证性能提升效果（如发热量、寿命等）。

五、总结

高频低阻电解电容通过材料与结构创新，显著降低ESR值，解决高频场景下的发热与失效问题，是提升设备稳定性的核心组件。选型时需重点关注ESR-频率曲线、阻抗-温度特性及寿命公式，并参考第三方检测报告。对于老旧设备，升级高频低阻电容可实现效率提升与成本优化。

无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片技术优势及产品系列

无磁芯变压器（CT）隔离驱动芯片的技术优势

无磁芯变压器隔离驱动芯片作为新一代隔离技术，在电力电子领域展现出显著优势，尤其在栅极驱动器应用中，其技术特性完美契合高开关频率、高功率密度的发展趋势。以下是其核心优势：

高共模瞬变抗扰度（CMTI）无磁芯变压器通过电流变化传递信号，天然具备抗dv/dt干扰的能力。叠加信号编码的抗共模设计后，其CMTI能力远超电容隔离技术。例如，英飞凌的1ED34x1Mc12M型号标称CMTI值达200kV/μs（实际测试值更高），可稳定应对SiC器件高达50kV/μs的开关dv/dt，适用于电机驱动和电源类高速开关场景。

图3：共模干扰路径示意图

精密时序控制采用线性滤波输入电路设计，减少外置RC滤波器需求，同时确保脉冲上升沿与下降沿传输偏差极小（温度及批次差异下最大不超过7ns）。这一特性在驱动并联应用中至关重要，可精准控制死区时间（如SiC应用需<300ns），提升逆变器性能。

图4：线性滤波设计优势

精确短路保护

精密电流源设计：desat检测电路中电流源精度达±10%，控制Desat电容充电时间浮动，提升消隐时间精度。

灵活消隐时间设定：1ED34x1Mc12M和1ED38x0Mc12M型号支持通过模拟电阻或数字通信直接设定消隐时间，省去外接Desat电容，实现更短、更精确的短路保护（如SiC器件短路时间仅2~3μs）。

图4：1ED020I12-F2/B2的Desat保护原理

高电压可靠输出推挽MOS

耐压设计：输出Mos耐压高达40V，保护驱动电路免受异常门极电压影响。

极短脉冲适应：优化设计确保窄脉宽下无过压风险。

独特PMOS结构：在IGBT米勒平台阶段（门极电压7.5V~15V）提供更大驱动电流，降低开关损耗。例如，X3和F3系列采用此设计，驱动电流显著优于传统两级推挽结构。

图6：两级推挽设计（1ED Compact系列）与独特PMOS设计（X3/F3系列）对比

绝缘性能优异隔离介质采用聚酰亚胺或二氧化硅（SiO?），其中SiO?介电强度更高。电磁传输允许线圈间距大于电容传输，可填充更厚聚酰亚胺，满足栅极驱动器绝缘要求。

无磁芯变压器隔离驱动芯片产品系列

英飞凌作为该领域领先厂商，推出多款无磁芯变压器驱动IC，覆盖不同应用需求，典型型号及特点如下：

1ED34x1Mc12M系列

核心优势：CMTI达200kV/μs，支持高速SiC/GaN器件驱动；集成精确短路保护与消隐时间设定功能。

应用场景：新能源汽车电机控制器、光伏逆变器等高可靠性需求领域。

1ED38x0Mc12M系列

核心优势：数字通信接口支持灵活消隐时间配置，适配自动化生产需求；输出Mos耐压40V，适应严苛工况。

应用场景：工业电机驱动、充电桩等。

X3/F3系列

核心优势：独特PMOS输出结构，降低IGBT开关损耗；支持高开关频率（>1MHz）。

应用场景：高频电源、激光驱动等。

1ED Compact系列

核心优势：两级推挽设计，成本优化；适用于对成本敏感的中低功率应用。

应用场景：家用电器、小型UPS等。

总结

无磁芯变压器隔离驱动芯片凭借高CMTI、精密时序控制、精确短路保护及可靠输出设计，成为高功率密度电力电子系统的理想选择。英飞凌产品系列覆盖从经济型到高性能的全场景需求，用户可通过英飞凌官网查询具体型号及技术参数，实现方案快速落地。

130um！全球最薄碳化硅晶圆片问世

江苏通用半导体有限公司于2024年7月10日成功用自研设备剥离出130μm厚度的全球最薄碳化硅（SiC）晶圆片。以下是详细信息：

公司背景：通用半导体成立于2019年，专注于高端半导体产业装备与材料的研发和制造。此前曾用名为河南通用智能装备有限公司，现总部位于江苏。图：通用半导体研发的8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备

技术突破：此次130μm超薄SiC晶圆片的剥离，依托公司自主研发的碳化硅晶锭激光剥离设备。该设备通过激光技术实现晶圆与晶锭的高精度分离，解决了传统机械剥离易导致晶圆破损、厚度不均等问题，为超薄SiC晶圆的规模化生产提供了技术保障。

产品迭代历程：

2020年：研发国内首台半导体激光隐形切割机，突破传统切割技术精度限制。

2022年：推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备，专用于3D Memory芯片制造。

2023年：成功研发国内首条8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线，并于同年12月完成交付，标志着产业化能力成熟。

2024年：研制SDTT激光隐切设备，针对3D HBM（高带宽内存）芯片的切割需求，进一步拓展应用领域。

行业意义：

性能提升：超薄SiC晶圆片可显著降低器件导通电阻，提升功率转换效率，适用于新能源汽车、光伏逆变器、5G基站等高功率场景。

成本优化：晶圆厚度减少可降低材料消耗，同时提高单晶锭的晶圆产出量，推动SiC器件成本下降。

技术壁垒：130μm厚度接近SiC晶圆物理极限，对激光剥离设备的精度、稳定性及工艺控制提出极高要求，通用半导体的突破巩固了其在全球SiC装备领域的领先地位。

市场与资本布局：

融资支持：2021年8月完成天使轮融资，2023年8月完成A轮融资，投资方包括天演基金、拉萨楚源、浑璞投资、东北证券、鼎心资本等机构，为技术研发与产能扩张提供资金保障。

应用拓展：公司通过持续迭代激光隐切设备产品系列，覆盖从传统硅基到第三代半导体（如SiC、GaN）的多元需求，市场应用规模不断扩大。

未来展望：通用半导体表示将持续加大研发投入，优化设备性能与工艺参数，推动超薄SiC晶圆片在高端功率器件中的渗透率提升，助力全球半导体产业向高效、低碳方向转型。

来源：通用半导体、集邦化合物半导体整理

igbt芯片厚度0.7mm

IGBT芯片厚度0.7mm属于行业先进水平，主要应用于高端超小型化模块封装

1. 技术参数定位

0.7mm厚度对应1200V电压等级的IGBT芯片，采用薄晶圆加工工艺（最低可达40μm），使用背面研磨+湿法刻蚀技术实现。该规格芯片的导通压降（Vce(sat)）通常控制在1.7-2.1V范围内，开关损耗较标准厚度芯片降低15%以上。

2. 生产工艺要求

- 衬底材料：采用Float-Zone低缺陷硅片，氧含量需低于16ppma

- 减薄工艺：需配置双面研磨机+抛光设备（如Disco DGP8761），砂轮粒度需逐步降至2000#以上

- 金属化：背面AL/Ti/Ni/Ag多层金属镀膜，厚度偏差需控制在±3%以内

- 测试要求：需采用非接触式激光厚度检测仪（Keyence LJ-X8000系列）进行100%在线测量

3. 应用场景

主要用于新能源汽车电驱模块（如特斯拉Model 3逆变器）、光伏逆变器及工业变频器领域，配合银烧结贴装技术实现≤0.5mm封装厚度。2023年行业数据显示，该规格芯片在车规级模块中的渗透率已达35%。

4. 工艺风险提示

厚度≤0.7mm时需特别注意：碎片率需控制在0.2%以下，运输过程必须使用专用防震载具，清洗工序需避免兆声波冲击（建议采用SU-3000系列喷雾清洗机）。

光伏储能藏机会,国家队重仓这9家公司!有些你可能从来没听说过

光伏储能领域国家队（社保/养老基金）重仓的9家公司分布在电池、光伏设备、储能系统等环节，有大众熟知的龙头，也有跨界布局的企业

一、电池及核心材料企业

1）亿纬锂能，社保持仓1427万股，储能电池国内市占率15%，280Ah大圆柱电池循环寿命超12000次，2025年产能规划200GWh，还布局了液流电池等多元技术路线。

2）派能科技是户用储能系统龙头，海外户储市场份额领先，社保及养老基金都有持仓。

二、光伏核心组件与设备企业

1）钧达股份，社保持仓996万股，是全球N型TOPCon电池龙头，2024年N型电池出货占比超95%、市占率超20%，转换效率突破26.5%。

2）大族激光，社保持仓1192万股，是光伏/储能制造设备核心供应商，硅片激光切割损耗率降至0.15%，为隆基、晶科等龙头服务。

3）晶澳科技，社保持仓5915万股，是全球光伏组件龙头，自研“晶弦”技术让组件效率达25.2%，单块功率提升12W。

三、储能系统与跨界布局企业

1）传音控股是手机厂商跨界做储能，开发了0.5kW - 100kW系列光伏逆变器，社保及养老基金合计持股4.23%。

2）巨星科技是五金工具龙头拓展储能，在美国市场布局储能产品，社保持股4.02%且北向资金加仓45.45%。

3）盛弘股份是国内APF/SVG厂商，储能业务占比在提升，社保及养老基金持续布局。

4）锦浪科技是储能逆变器（PCS）龙头，在分布式光伏与储能领域领先，被国家队重仓。

四、温控与运营配套企业

英维克/同飞股份是储能热管理核心供应商，国家队布局了储能温控赛道。

南网储能是A股最纯正储能运营标的，背靠南方电网，国家队持股稳定。

注：部分企业如传音、巨星是跨界布局储能，国家队持仓比例大多在3% - 5%区间，关注技术壁垒高、产能扩张明确的标的。

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